功能:全极开关 |
技术:霍尔效应 |
极化:北极,南极 |
感应范围:±3.2mT 跳闸,±1.2mT 释放 |
测试条件:25°C |
电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V |
电流 - 供电(最大值):8µA |
电流 - 输出(最大值):500µA |
输出类型:CMOS |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘 |
功能:全极开关 |
技术:霍尔效应 |
极化:北极,南极 |
感应范围:±2.5mT 跳闸,±0.5mT 释放 |
测试条件:25°C |
电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V |
电流 - 供电(最大值):8µA |
电流 - 输出(最大值):500µA |
输出类型:CMOS |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘 |
电源要求:DC Powered |
制造商:ROHM Semiconductor USA, LLC |
产品型号:BU52011HFV-TR |
工作温度:-40 to 185 F (-40 to 85 C) |
产品类别:Linear Position Sensors |
Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor |
供电电压:1.65-3.3 V |
启动电流:2.8 mA |
封装类型:HVSOF5 |
工作周期:50 ms |
工作温度范围:-40 to 185 F (-40 to 85 C) |
平均供电电流:5 μA |
开关电流:500 μA |
待机电流:1.8 μA |
最大直流电压:4.5 V |
磁滞(释放点):0.9 mT |
磁灵敏度(操作点):±3.0 mT |
输出低电平电压:0.2 V |
输出类型:CMOS |
输出高电平电压:VDD - 0.2 V |
电源要求:DC Powered |
制造商:ROHM Semiconductor USA, LLC |
产品型号:BU52014HFV-TR |
工作温度:-40 to 185 F (-40 to 85 C) |
产品类别:霍尔效应位置传感器 |
Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor |
供电电压范围:1.65 - 3.3 V |
启动时间:48μs |
存储温度范围:-40 to +125 ℃ |
封装类型:HVSOF5 |
工作周期:50ms (最大100ms) |
工作温度范围:-40 to 185 F (-40 to 85 C) |
工作电流(平均):5.0 μA |
最大供电电压:3.3 V |
测量技术:Hall Effect Position Sensor |
磁感应操作点(BopN):-3.0 mT |
磁感应操作点(BopS):+3.0 mT |
磁感应释放点(BrpN):-2.1 mT |
磁感应释放点(BrpS):2.1 mT |
磁滞(BhysN):0.9 mT |
磁滞(BhysS):0.9 mT |
输出低电平电压:≤0.2 V |
输出类型:CMOS |
输出高电平电压:≥2.0 V |
静电放电(ESD)抗扰度:8kV (HBM) |
电源要求:DC Powered |
制造商:ROHM Semiconductor USA, LLC |
产品型号:BU52025G-TR |
工作温度:-40 to 185 F (-40 to 85 C) |
产品类别:Linear Position Sensors |
Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor |
供电电压:2.4-3.6伏 |
启动期间供电电流 (IDD(EN)):2.8 mA |
周期 (Tp):50 ms |
工作温度范围:-40 to 85 ℃ |
平均供电电流 (IDD):8 μA |
开关电流:1毫安 |
待机期间供电电流 (IDD(DIS)):1.8 μA |
最大直流电压:4.5伏 |
测量技术:霍尔效应 |
磁操作点 (Bop):±3.7 mT |
磁滞 (Hysteresis):0.8 mT |
磁释放点 (Brp):±0.8 mT |
输出低电平电压 (VOL):0.2 V |
输出类型:CMOS |
输出高电平电压 (VOH):VDD-0.2 V |
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