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ROHM Semiconductor 罗姆半导体
罗姆(ROHM)于1958年在京都成立,最初是小型电子元件的制造商。1967年生产扩大到晶体管和二极管,1969年增加了IC和其他半导体产品。两年后(1971年),与传统的日本商业文化背道而驰,ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心。以当时的企业规模,凭借被称为"超常思维"的创新理念,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,罗姆迅速发展,引起了业界的关注。ROHM的海外扩张很快成为其他公司的样板,并最终被接受为常见的商业惯例。旗下公司LAPIS Semiconductor Co.,Ltd.  通信用LSI,低功耗微控制器,语音合成LSI等阵容丰富的数码商品。Kionix,Inc.  MEMS技术的小型加速度传感器,确立了世界顶级传感器的地位。AGLED Co.,Ltd. 自1921年以来从事制造及销售照明灯具,正在扩大LED照明事业。发展战略1. 四个成长引擎 1) 融合罗姆的模拟IC与LAPIS SEMICONDUCTOR 的数字IC技术,开拓汽车与工业机器市场。 2) 以SiC(碳化硅)为核心的元器件技术、依据功率IC的控制技术以及将二者合二为一的模块技术。融合三项技术,为节能做贡献。 3) 以LED照明为中心,从LED元件、驱动IC到电源模块,提供LED的完整解决方案。 4) 2009年实现与MEMS加速度传感器开发商Kionix公司的集团化, 以世界顶尖的产品阵容,满足市场上对传感器的全部需求。2. 全球扩张 1) 在全球设立了12个开发据点作为设计中心。推进技术人员本地化进程。 2) 为确保品质,并迅速为客户答疑解惑,在全球设立了10个QA中心。 3) 在中国内地的5个城市(长春、西安、武汉、成都、重庆)设立了新的销售点。在所有23个据点均确立了中国销售网。 4) 在印度・巴西设立新的销售公司。参与新兴国家市场的开拓。3. CSR重点活动项目 1) 根据 ISO26000 推进罗姆集团CSR标准化。 2) 通过CSR委员会加强公司管理。 3) 积极与利益相关者进行交流,努力解决问题。 4) 减轻全球环境负担,对地球环境课题作出贡献。4. BCP(业务持续性计划)体制的加强 1) 彻底贯彻同一产品的多个基地生产。 2) 重新审视库存设计,确保安全库存。 3) 加强对泰国工厂洪水灾害的处理对策。(设置防水壁、加高1楼地板、确保人员数量等)传感器业务ROHM 集团拥有引以为豪的种类众多的环境传感器和运动传感器的丰富产品阵容。为了帮助客户充分发挥这些传感器的特点,ROHM一直在努力加强开发支持。2014年12月,为了强化传感解决方案业务的设计、开发支持功能,ROHM开设了芬兰软件研发中心。另外,还大力提供评估环境。"Sensor Platform Evaluation Kit"就是使各种传感器的评估和应用开发更容易的一款评估套件。另外,面向可穿戴式应用,还提供集成了控制多个传感器用微控制器与近距离无线通信的参考设计。主要产品传感器/MEMSCurrent Sensor IC, 霍尔IC系列, 照度传感器IC, 温度传感器IC,震动传感器用放大器 ,光学传感器放大器/比较器 ,电源管理 ,电机/执行机构驱动器 ,MOSFET/晶体管/二极管 ,功率器件 ,电阻器 / 电容器(capacitor),存储器 ,时钟/计时器 ,开关/多路转换器/逻辑 ,数据转换器 ,显示用驱动器 ,接口 ,无线LSI ,音频/视频 ,语音合成LSI ,微控制器 ,光学元器件 ,无线模块/热敏打印头 ,Foundry Service解决方案车载 工业设备 消费电子设备 功能(功能电路)中国业务罗姆半导体(上海)有限公司
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52472NUZ-ZE2 霍尔效应位置传感器

    功能:全极开关
    技术:霍尔效应
    极化:北极,南极
    感应范围:±3.2mT 跳闸,±1.2mT 释放
    测试条件:25°C
    电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
    电流 - 供电(最大值):8µA
    电流 - 输出(最大值):500µA
    输出类型:CMOS
    工作温度:-40°C ~ 85°C
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52271NUZ-ZE2 霍尔效应位置传感器

    功能:全极开关
    技术:霍尔效应
    极化:北极,南极
    感应范围:±2.5mT 跳闸,±0.5mT 释放
    测试条件:25°C
    电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
    电流 - 供电(最大值):8µA
    电流 - 输出(最大值):500µA
    输出类型:CMOS
    工作温度:-40°C ~ 85°C
    安装类型:表面贴装型
    封装/外壳:4-XFDFN 裸露焊盘
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52011HFV-TR 霍尔效应位置传感器

    电源要求:DC Powered
    制造商:ROHM Semiconductor USA, LLC
    产品型号:BU52011HFV-TR
    工作温度:-40 to 185 F (-40 to 85 C)
    产品类别:Linear Position Sensors
    Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor
    供电电压:1.65-3.3 V
    启动电流:2.8 mA
    封装类型:HVSOF5
    工作周期:50 ms
    工作温度范围:-40 to 185 F (-40 to 85 C)
    平均供电电流:5 μA
    开关电流:500 μA
    待机电流:1.8 μA
    最大直流电压:4.5 V
    磁滞(释放点):0.9 mT
    磁灵敏度(操作点):±3.0 mT
    输出低电平电压:0.2 V
    输出类型:CMOS
    输出高电平电压:VDD - 0.2 V
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52014HFV-TR 霍尔效应位置传感器

    电源要求:DC Powered
    制造商:ROHM Semiconductor USA, LLC
    产品型号:BU52014HFV-TR
    工作温度:-40 to 185 F (-40 to 85 C)
    产品类别:霍尔效应位置传感器
    Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor
    供电电压范围:1.65 - 3.3 V
    启动时间:48μs
    存储温度范围:-40 to +125 ℃
    封装类型:HVSOF5
    工作周期:50ms (最大100ms)
    工作温度范围:-40 to 185 F (-40 to 85 C)
    工作电流(平均):5.0 μA
    最大供电电压:3.3 V
    测量技术:Hall Effect Position Sensor
    磁感应操作点(BopN):-3.0 mT
    磁感应操作点(BopS):+3.0 mT
    磁感应释放点(BrpN):-2.1 mT
    磁感应释放点(BrpS):2.1 mT
    磁滞(BhysN):0.9 mT
    磁滞(BhysS):0.9 mT
    输出低电平电压:≤0.2 V
    输出类型:CMOS
    输出高电平电压:≥2.0 V
    静电放电(ESD)抗扰度:8kV (HBM)
  • ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52025G-TR 霍尔效应位置传感器

    电源要求:DC Powered
    制造商:ROHM Semiconductor USA, LLC
    产品型号:BU52025G-TR
    工作温度:-40 to 185 F (-40 to 85 C)
    产品类别:Linear Position Sensors
    Sensor Technology:Hall Effect Position Sensor
    供电电压:2.4-3.6伏
    启动期间供电电流 (IDD(EN)):2.8 mA
    周期 (Tp):50 ms
    工作温度范围:-40 to 85 ℃
    平均供电电流 (IDD):8 μA
    开关电流:1毫安
    待机期间供电电流 (IDD(DIS)):1.8 μA
    最大直流电压:4.5伏
    测量技术:霍尔效应
    磁操作点 (Bop):±3.7 mT
    磁滞 (Hysteresis):0.8 mT
    磁释放点 (Brp):±0.8 mT
    输出低电平电压 (VOL):0.2 V
    输出类型:CMOS
    输出高电平电压 (VOH):VDD-0.2 V

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