DONGHAI 东海半导体
江苏东海半导体股份有限公司  是国内一流的功率器件产品供应商,专注于先进功率器件的研发设计、封装制造和应用研究,为客户提供IGBT单管/模块、中低压MOS、高压MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模块、GaN、IPM等全面功率器件产品解决方案。东海半导体成立于2004年,总部位于无锡;公司致力于为客户提供高品质、高性价比功率器件产品,产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制、逆变焊机、电源、电动工具、轻型电动车、锂电保护等领域。企业文化企业愿景:卓越功率器件产品和方案提供商。企业价值观:效率、创新、可靠、团队协同。企业使命:为美好生活,为绿色能源,贡献东海的力量。发展历程2004-2010年  公司成立,封装产线完成,为国内外头部公司提供封装代工。2011-2016年  推出自有品牌WXDH,入选国家高新技术企业,通过ISO9001质量体系认证。2017-2019年  战略转型为研发型产品公司,Trench MOS研发成功并量产,汽车电子IATF16949体系认证。2020-2022年  引入战略投资者,股改完成,FS-IGBT/SJ MOS量产,批量推出车规级产品。2023-2025年  新研发大楼启用;IGBT模块规模出货,自有制造能力建设提升,IPM/GaN/MEMS…荣誉资质主要产品MOSFET、IGBT、SiC MOSFET/SBD、汽车电子Automotive、二极管Diode、IPM智能功率模块、三端稳压IC应用领域产品广泛应用于机器人/具身智能、AI服务器电源、新能源汽车及充电桩、光伏储能、工业控制、逆变焊机、电源、电动工具、轻型电动车、锂电保护等领域。
  • DonghaiSemiconductor DCUK015M75G3 SiC MOSFET

    Continuous Drain Current:131A
    Diode Forward Voltage:3.9V
    Diode Max Current:175A
    Diode Reverse Recovery Charge:149nC
    Diode Reverse Recovery Time:43ns
    Drain-Source Breakdown Voltage:750V
    Drain-Source On-State Resistance:21mΩ
    Fall Time:6ns
    Gate Threshold Voltage:2.0 ~ 4.0V
    Gate Total Charge:117nC
    Gate-Drain Charge:44nC
    Gate-Source Charge:37nC
    Gate-Source Leakage Current:100nA
    Gate-Source Voltage:-10 ~ +23V
    Input Capacitance:3654pF
    Internal Gate Resistance:2Ω
    Operating Junction Temperature:-55 ~ 175℃
    Output Capacitance:278pF
    Package:TOLL
    Peak Reverse Recovery Current:28A
    Power Dissipation:375W
    Pulsed Drain Current:330A
    Reverse Transfer Capacitance:14pF
    Rise Time:16.6ns
    Storage Temperature:-55 ~ 175℃
    Thermal Resistance Junction-Ambient:40℃/W
    Thermal Resistance Junction-Case:0.40℃/W
    Turn-Off Delay Time:35.6ns
    Turn-Off Switching Energy:407μJ
    Turn-On Delay Time:14.9ns
    Turn-On Switching Energy:309μJ
    Zero Gate Voltage Drain Current:10μA
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