产地:日本 |
刻蚀均匀性:≤±5% (4”Ф硅片) |
刻蚀率:20 nm/min |
基板尺寸:φ4 X 1wfr |
工作温度:<100 ℃ |
样品台冷却方式:直接冷却(水冷) |
样品台旋转角度:0-90 度 |
泵组配置:德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 |
离子源配置:美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 (4cm/8cm/10cm/16cm) |
终点检出器:Pfeiffer 残余质谱仪 |
适用气体:氩气 (Ar) |
刻蚀均匀性:≤±5% |
刻蚀率:20 nm/min |
基板尺寸:< φ3 inch X 8片, < φ4 inch X 6片, < φ8 inch X 1片 |
工作温度:<100°C |
旋转角度:0-90度 |
样品台冷却方式:直接冷却 / 间接冷却 |
真空泵配置:德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 |
离子源均匀性:±10% (for 8”Ф硅片) |
传输机构:Dry Chuck Planet (公转自转) |
刻蚀均匀性:≤±5% |
刻蚀精度:纳米级别 |
基片尺寸:Φ4 inch X 12片, φ5 inch X 10片, φ6 inch X 8片 |
样品台冷却方式:直接冷却 |
泵组配置:德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 |
离子源尺寸:Φ20cm |
离子源类型:水冷考夫曼离子源 |
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