产品概述
上海伯东日本原装进口的Hakuto 20 IBE-C离子束刻蚀机，专为中等规模量产设计。该设备采用干法物理刻蚀技术，具备纳米级刻蚀精度，适用于各类难以通过反应离子刻蚀（RIE）处理的特殊材料。设备配备自动化操作流程与德国Pfeiffer真空系统，结合50余年市场验证的离子束刻蚀技术，确保高效、稳定的生产性能。
核心特点/优势
- 纳米级干法物理刻蚀精度，几乎兼容所有材料的刻蚀需求，有效补充RIE工艺局限。
- 射频角度支持0-90度任意调整，可灵活实现垂直、斜面等多种加工形状。
- 样品台支持直接/间接冷却，工作温度控制在100°C以下，满足低温刻蚀工艺要求。
- 配置“Dry Chuck Planet”公转自转传输机构，刻蚀均匀性高达≤±5%，表面平滑度优异。
- 采用德国Pfeiffer分子泵与旋片泵组合，真空性能稳定；全自动化操作流程，大幅降低人工干预，提升生产友好度。
应用领域
- 中等规模半导体量产
- 离子清洗与离子蚀刻工艺
- 辅助镀膜(IBAD)与离子溅射镀膜(IBSD)
- 离子束抛光(IBF)
- 各类真空设备配套工艺
选型指南/使用建议
设备价格与货期因具体配置而异，建议根据实际量产需求与供应商确认详细配置方案。样品台可根据工艺需求选配直接冷却或间接冷却模块，低温工艺建议优先选择直接冷却配置。基板尺寸支持φ3英寸（8片）、φ4英寸（6片）及φ8英寸（1片）多种规格，请根据实际晶圆尺寸与产能需求进行选型。设备采用自动化操作流程，建议操作人员熟悉标准作业程序（SOP）以充分发挥其高效稳定的生产优势。
20 IBE-C 半导体封测选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 刻蚀均匀性 | ≤±5% | |
| 刻蚀率 | 20 nm/min | |
| 基板尺寸 | < φ3 inch X 8片, < φ4 inch X 6片, < φ8 inch X 1片 | |
| 工作温度 | <100°C | |
| 旋转角度 | 0-90度 | |
| 样品台冷却方式 | 直接冷却 / 间接冷却 | |
| 真空泵配置 | 德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 | |
| 离子源均匀性 | ±10% (for 8”Ф硅片) |
产品替代
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