ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗PhototransistorsOptical Detectors & Sensors-型号-图片-传感器专家网

ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗

照明与传感创新的全球领导者奥地利 ams-OSRAM AG (艾迈斯欧司朗) 致力于开拓创新，打造独具一格的照明与传感解决方案。我们积淀百余载行业经验，融合卓越工程技术与全球制造实力，将热情注入前沿创新。我们在光源、可视化和传感技术领域不断突破，赢得了全球客户的信赖。我们与客户携手共进，创造颠覆性应用，让世界更安全、更智能，更可持续。“感未来，光无限”——我们深刻洞悉光之无限潜能，引领未来创新。我们驾驭可见光与不可见光，点亮世界，予人洞见。我们为光赋予智能，助力客户续写创新应用新篇章。我们凭借独树一帜的尖端照明与传感技术组合，以出众的实力引领行业发展。在我们丰富多样的产品组合中，既有高质量的半导体光发射器、传感器、CMOS IC和配套软件，也有一系列面向汽车和特殊应用的传统照明技术。我们在全球拥有约20,000名员工，所有人齐心协力投入创新，紧跟数字化、智能生活、节能和可持续发展等社会大趋势。我们的照明与传感技术在汽车、工业、医疗健康和消费电子市场树立了行业标杆，目前在全球共有约14,000项已授予和已申请专利。集团总部位于奥地利Premstaetten/格拉茨和德国慕尼黑，2023年集团收入为36亿欧元。我们的愿景和使命我们的愿景启迪照明与传感创新。我们的使命引领传感照明科技，以备受信赖的创新制造能力共创智慧和谐世界。公司理念感未来，光无限历史历经110多年发展，我们仍在积极探索如何利用技术实现创想。我们满怀热忱，创新步履不停。凭借系统专业知识和对光学解决方案的深厚了解，我们通过先进的产品和前卫的设计把握未来发展机遇。主要产品LED白光LED，彩色LED，UV-C LEDs，红外LED，多色LED，LED模组，LED配件驱动器LED 驱动器激光器彩色激光器(EEL)，彩色激光器 (VCSEL)，红外激光器(EEL)，红外激光器(VCSEL)光电探测器光电二极管，光电晶体管多芯片组合光学模组传感器环境光、颜色、光谱和接近传感器，dToF传感器，CMOS图像传感器，X射线传感器，位置传感器，电容传感器，温度传感器，主动降噪，电池管理，模拟前端接口传感器接口ASICS全方位晶圆代工服务灯具汽车，娱乐与工业应用光源应用板、套件和相关附件应用领域汽车与出行前向灯，动态前向灯，信号灯，动态信号灯，功能性照明，氛围照明，屏显背光，投影，智能表面，环境光传感，舱内传感，ADAS/AD，雨量、阳光和隧道传感，位置和角度传感，电池管理系统，汽车后市场工业机器人，家居和楼宇自动化，工厂/工业自动化，材料加工，投影和显示，工业CT机和安检机，电器和工具，门禁和安全，UV-C消毒和处理医疗与健康医疗影像，数字医疗设备，医疗照明系统移动和可穿戴设备显示管理，增强现实眼镜的可视化，身份验证，摄像增强，3D传感，人体追踪，生命体征监测照明农业和植物照明，户外和工业照明，室内照明，娱乐照明计算创新光子计数，IR LED IR:6，LED-on-foil 技术，3D深度传感技术，开放系统协议中国业务欧司朗光电半导体（中国）有限公司

访问主页

ams OSRAM SFH 313 FA-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:200 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向 - 2 引线
工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	方向:顶视图	波长:870nm
电压 - 集射极击穿（最大值）:70 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 mA
视角:20°

ams OSRAM BP 103-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

上升时间:7 us, 9 us	下降时间:7 us, 9 us	功率耗散:150 mW
半强度角度:55 deg	单位重量:200 mg	封装类型:TO-18
尺寸（长×宽×高）:5.5 mm × 5.5 mm × 3.6 mm	峰值波长:850 nm	工厂包装数量:1000
开启状态集电极最大电流:100 mA	暗电流:50 nA	最大工作温度:+80 C
最小工作温度:-40 C

ams OSRAM SFH 309 FA-4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:165 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向，T-1 透镜
峰值波长:900 nm	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	工作温度范围:-40°C ~ 100°C（TA）
方向:顶视图	暗电流（最大值）:200 nA	最大功率:165 mW
波长:900nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	视角:24°	集电极-发射极击穿电压（最大值）:35 V
集电极电流（最大值）:15 mA

ams OSRAM SFH 3410-Z PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

ESD耐压（HBM，Class 2）:2 kV	安装类型:表面贴装型	封装/外壳:3-SMD，鸥翼
封装类型:3-SMD，鸥翼	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	工作温度范围:-40°C ~ 100°C
感光面积:0.29 mm²	方向:顶视图	暗电流（典型值）:3 nA
暗电流（最大值）:50 nA	波长:570nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5 V
电容（典型值）:3.9 pF	电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 mA
视角:120°	集射极击穿电压（最大值）:5.5 V	集电极-发射极饱和电压（最大值）:100 mV
集电极电流（最大值）:20 mA

ams OSRAM SFH 3600 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

上升时间:7 us	下降时间:7 us	功率耗散 Pd:130 mW
半强度角度:20 deg	封装:MIDLED	尺寸 (长 x 宽 x 高):3.3 mm x 2.35 mm x 1.7 mm
峰值波长:990 nm	开启状态集电极最大电流:15 mA	敏感面积:0.04 mm²
暗电流:50 nA	最大工作温度:+100 C	最小工作温度:-40 C
电容:1.3 pF	集电极-发射极饱和电压:150 mV	集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V

ams OSRAM BPY 62 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:200 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐
峰值波长:830 nm	工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）	工作温度范围:-40°C ~ 125°C（TA）
方向:顶视图	暗电流（最大值）:50 nA	最大功率:200 mW
波长:830nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA	视角:16°	集射极击穿电压（最大值）:35 V
集电极电流（最大值）:100 mA

ams OSRAM SFH 325-4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

ESD耐受性:2 kV (HBM, Class 2)	上升时间（典型）:7 μs	下降时间（典型）:7 μs
产品种类:光电晶体管	光电流（典型）:650 μA	光谱响应范围:450 ... 1120 nm
半角:60°	单位重量:76 mg	商标:ams OSRAM
封装:MouseReel	峰值回流温度（推荐）:245 ℃	峰值温度保持时间（推荐）:20 s
工厂包装数量:2000	敏感面积:0.038 mm²	暗电流（典型）:1 nA
最大灵敏度波长:980 nm	液相线以上时间（推荐）:80 s	液相线温度（推荐）:217 ℃
湿度敏感性:Yes	电容（典型）:5 pF	芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm
集电极-发射极饱和电压（典型）:150 mV

ams OSRAM SFH 309-4/5 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:165 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向
工作温度:-40°C ~ 100°C	方向:顶视图	波长:860 nm
电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA
视角:24°

ams OSRAM SFH 314 FA PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:200 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向 - 2 引线
工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	方向:顶视图	波长:870nm
电压 - 集射极击穿（最大值）:70 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 mA
视角:80°

ams OSRAM SFH 3310 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

光电流 (IPCE):2.5 ... 8.0 μA	光谱响应范围:350 ... 970 nm	安装类型:通孔
封装/外壳:径向	封装类型:径向	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）
工作温度范围 (TA):-40°C ~ 100°C	敏感面积:0.29 mm²	方向:顶视图
暗电流 (Id):50 nA	暗电流 (典型):3 nA	最大静电放电耐受电压 (VESD):2 kV
波长:570nm	波长 (λ):570 nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5 V
电容 (CCE):16 pF	电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 mA
视角:150°	集射极击穿电压 (Vce):5.5 V	集电极电流 (Ic):20 mA
饱和电压 (VCEsat):100 mV

ams OSRAM SFH 3710 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

产品种类:光电晶体管	光敏面积:0.29 mm²	光谱响应范围:350 ... 950 nm
典型光电流:350 μA	半角:60°	单位重量:3.760 g
发射极-集电极电压:0.5 V	商标:ams OSRAM	存储温度范围:-40°C ~ 85°C
封装:MouseReel	工作温度范围:-40°C ~ 85°C	工厂包装数量:3000
暗电流:3 nA	最大灵敏度波长:570 nm	最大集电极电流:20 mA
湿度敏感性:Yes	灵敏度温度系数:0.78 % / K (550 nm: 0.9 % / K)	电容:4 pF
芯片尺寸:0.75 x 0.75 mm	集电极-发射极电压:5.5 V	集电极-发射极饱和电压:100 mV
零件号别名:Q65110A3107 SFH 3710 Q65110A3107	静电放电耐受电压:2 kV

ams OSRAM SFH 3710-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

产品种类:光电晶体管	光谱响应范围:350 ... 950 nm	半角:60°
单位重量:3.760 mg	商标:ams OSRAM	封装:MouseReel
峰值波长:570 nm	工厂包装数量:3000	敏感面积:0.29 mm²
最大发射极-集电极电压:0.5 V	最大存储温度:-40°C ~ 85°C	最大工作温度:-40°C ~ 85°C
最大抗静电电压:2 kV	最大暗电流:3 nA	最大温度灵敏度系数:0.9 % / K
最大电容:4 pF	最大集电极电流:20 mA	最大饱和电压:100 mV
湿度敏感性:Yes	芯片尺寸:0.75 x 0.75 mm	集电极-发射极电压:5.5 V
零件号别名:Q65110A3511, SFH 3710-3/4, Q65110A3511

ams OSRAM SFH 300 FA-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:200 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向
峰值波长:880 nm	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	工作温度范围:-40°C ~ 100°C（TA）
方向:顶视图	暗电流（最大值）:50 nA	最大功率:200 mW
波长:880nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 mA	视角:50°	集射极击穿电压（最大值）:35 V
集电极电流（最大值）:50 mA

ams OSRAM SFH 325 FA-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

上升时间:7 μs	下降时间:7 μs	产品种类:光电晶体管
单位重量:76 mg	商标:ams OSRAM	存储温度范围:-40°C ~ 100°C
封装:MouseReel	峰值响应波长:980 nm	工作温度范围:-40°C ~ 100°C
工厂包装数量:2000	暗电流:1 nA	最大ESD耐受电压:2 kV
最大响应波长范围:750 ... 1120 nm	最大总功耗:165 mW	最大集电极-发射极电压:35 V
最大集电极浪涌电流:75 mA	最大集电极电流:15 mA	湿度敏感性:Yes
热阻:450 K/W	电容:5 pF	集电极-发射极饱和电压:150 mV
零件号别名:Q65110A2490, SFH 325 FA-3/4, Q65110A2490

ams OSRAM SFH 320 FA-3 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

上升时间:7 μs	下降时间:7 μs	产品种类:光电晶体管
光谱响应范围:750 ... 1120 nm	半角:60°	单位重量:25 mg
商标:ams OSRAM	存储温度范围:-40°C ~ 100°C	封装:MouseReel
工作温度范围:-40°C ~ 100°C	工厂包装数量:2000	敏感面积:0.038 mm²
暗电流:1 nA (典型), 50 nA (最大)	最大总功耗:165 mW	最大灵敏度波长:980 nm
湿度敏感性:Yes	热阻:450 K/W	电容:5 pF
芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm	集电极-发射极电压:35 V	集电极-发射极饱和电压:150 mV
集电极浪涌电流:75 mA	集电极电流:15 mA	零件号别名:Q65110A2470, SFH 320 FA-3, Q65110A2470
静电放电耐受电压:2 kV

ams OSRAM SFH 325 FA PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

ESD抗扰度:2 kV	上升时间:7 μs	下降时间:7 μs
产品种类:光电晶体管	光敏面积:0.038 mm²	光谱响应范围:750 ... 1120 nm
半角:60°	单位重量:76 mg	商标:ams OSRAM
存储温度范围:-40°C ~ 100°C	封装:MouseReel	工作温度范围:-40°C ~ 100°C
工厂包装数量:2000	总功耗:165 mW	暗电流:1 nA
最大灵敏度波长:980 nm	湿度敏感性:Yes	热阻:450 K/W
电容:5 pF	芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm	集电极-发射极电压:35 V
集电极-发射极饱和电压:150 mV	集电极浪涌电流:75 mA	集电极电流:15 mA
零件号别名:Q65110A2487 SFH 325 FA Q65110A2487

ams OSRAM SFH 309-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

ESD抗扰度:2 kV	上升时间（典型值）:7 μs	下降时间（典型值）:7 μs
光电流（典型值）:4500 μA	光谱灵敏度范围:380 ... 1150 nm	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:通孔	封装/外壳:径向，T-1 透镜	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）
方向:顶视图	暗电流（典型值）:1 nA	波长:860 nm
电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电容（典型值）:5 pF	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	视角:24°	集电极-发射极饱和电压（典型值）:200 mV

ams OSRAM SFH 309 FA-3/4 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:165 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向，T-1 透镜
封装类型:径向，T-1 透镜	峰值波长:900 nm	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）
工作温度范围:-40°C ~ 100°C（TA）	方向:顶视图	暗电流 (最大):200 nA
最大功率:165 mW	波长:900nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V
电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	视角:24°
集电极-发射极击穿电压 (最大):35 V	集电极电流 (最大):15 mA

ams OSRAM SFH 300 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

上升时间（最大值）:10 μs	下降时间（典型值）:140 mV	光电流（IPCE）:4800 μA
功率 - 最大值:200 mW	半角:25°	发射极-集电极电压（最大值）:7 V
安装类型:通孔	封装/外壳:径向 - 2 引线	工作温度:-40°C ~ 100°C
方向:顶视图	暗电流（ICEO）:1 nA	暗电流（最大值）:50 nA
最大光敏面积:0.11 mm²	最大功率:200 mW	最大集电极浪涌电流（T ≤ 10 μs）:100 mA
波长:880nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电容（Vce=0V, f=1 MHz）:7.5 pF
电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 mA	视角:50°
集射极击穿电压（最大值）:35 V	集电极-发射极饱和电压:7.5 pF	集电极电流（最大值）:50 mA
静电放电耐受电压（HBM）:2 kV

ams OSRAM SFH 310 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

功率 - 最大值:165 mW	安装类型:通孔	封装/外壳:径向，T-1 透镜
封装类型:径向，T-1 透镜	峰值响应波长:880 nm	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）
工作温度范围:-40°C ~ 100°C（TA）	方向:顶视图	暗电流（最大值）:50 nA
最大功率:165 mW	波长:880nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V
电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 mA	视角:50°
集射极击穿电压（最大值）:35 V	集电极电流（最大值）:50 mA

ams OSRAM SFH 3410-2/3-Z PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

安装类型:表面贴装型	封装/外壳:3-SMD，鸥翼	封装类型:3-SMD，鸥翼
峰值波长:570 nm	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	工作温度范围:-40°C ~ 100°C（TA）
感光面积:0.29 mm²	方向:顶视图	暗电流（最大值）:50 nA
波长:570nm	电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5 V	电容（典型值）:3.9 pF
电流 - 暗 (Id)（最大值）:50 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 mA	视角:120°
集射极击穿电压（最大值）:5.5 V	集电极电流（最大值）:20 mA	饱和电压（典型值）:100 mV

ams OSRAM SFH 3211 FA-Z PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

上升时间:7 μs	下降时间:7 μs	光敏面积:0.038 mm²
典型响应电流:650 μA	典型暗电流:1 nA	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲	峰值波长:980 nm
工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	工作温度范围:-40°C ~ 100°C（TA）	方向:顶视图
暗电流（最大值）:200 nA	最大功率:165 mW	波长:980nm
电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电容:5 pF	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	芯片尺寸:0.45 x 0.45 mm	视角:120°
集射极击穿电压（最大值）:35 V	集射极饱和电压:150 mV	集电极电流（最大值）:15 mA

ams OSRAM SFH 313 FA PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

Pd-功率耗散:200 mW	上升时间:-	下降时间:-
产品:Phototransistors	产品种类:光电晶体管	传播延迟—最大值:-
半强度角度:10 deg	单位重量:400 mg	商标:ams OSRAM
安装风格:Through Hole	宽度:5.9 mm	封装:Bulk
封装 / 箱体:T-1 3/4	峰值波长:870 nm	工作电源电压:-
工厂包装数量:1000	开启状态集电极最大电流:50 mA	弱电流:2.5 mA
暗电流:200 nA	最大工作温度:+ 100 C	最小工作温度:- 40 C
波长:870 nm	类型:Silicon NPN Phototransistor	资格:AEC-Q101
输出电流:-	透镜颜色/类型:Black	长度:5.9 mm
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V	集电极—射极击穿电压:70 V	集电极—射极饱和电压:150 mV
零件号别名:Q62702P1674	高度:9 mm

ams OSRAM SFH 325 FA-3 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

ESD耐压（CDM）:400 V	ESD耐压（HBM）:2 kV	供电电压范围:1.45V 至 5.5V
光谱响应范围:450 nm 至 705 nm	光谱灵敏度:1000 nA/lx	典型供电电流:135 μA
半角:60°	单位重量:76 mg	品牌:ams OSRAM
响应时间:14000 μs	型号:SFH 5701 A01	存储温度范围:-40°C 至 100°C
封装形式:MouseReel	工作温度范围:-40°C 至 100°C	工作电流温度系数:-0.07% / K
工厂包装数量:2000	暗电流典型值:3.4 nA	暗电流最大值:50 nA
最大正向电压:0.56 V	最大正向电流:0.5 mA	最大灵敏度波长:600 nm
湿度敏感性:Yes	输出阻抗:10 MΩ

ams OSRAM SFH 309 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

ESD耐压（CDM）:400 V	ESD耐压（HBM）:2 kV	上升时间（典型值）:14000 μs
光谱灵敏度范围:450 ... 705 nm	光谱灵敏度（典型值）:1000 nA/lx	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:通孔	封装/外壳:径向，T-1 透镜	工作温度:-40°C ~ 100°C
工作电压范围:1.45V ~ 5.5V	工作电流温度系数（典型值）:-0.07% / K	方向:顶视图
暗电流（典型值）:3.4 nA	最大灵敏度波长:600 nm	波长:860nm
电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA
视角:24°	输出暗电流（最大值）:50 nA	输出电流（典型值）:135 μA
输出阻抗（典型值）:10 MΩ

1 2