ams OSRAM SFH 300 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors

光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR

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2026-02-13 09:50:53
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产品概述

ams OSRAM SFH 300 是一款高性能的光电晶体管(Phototransistor),适用于红外光检测和光学传感应用。该器件采用880nm波长设计,具备宽广的光谱响应范围(450nm至1100nm),适用于多种光学信号采集场景。其顶视结构和50°半角设计使其具备良好的光接收性能,适用于需要高灵敏度和快速响应的光学系统。

核心特点/优势

  • 高灵敏度:在标准光照条件下(1000 lux)可提供高达4800 μA的光电流。
  • 低暗电流:在无光照条件下,典型暗电流仅为1 nA,确保高信噪比。
  • 宽工作温度范围:-40°C至100°C,适用于工业和汽车等严苛环境。
  • 快速响应:典型上升时间为10 μs,满足高速光学信号处理需求。
  • 高ESD耐受能力:符合HBM Class 2标准,最大耐受电压达2 kV。

选型指南/使用建议

该器件采用通孔安装方式,封装为径向2引线结构,适用于标准PCB布局。建议在设计中考虑其最大功率限制(200 mW)和集电极电流限制(50 mA),以确保稳定运行。工作电压建议不超过35 V,避免击穿风险。适用于需要红外光检测、光信号转换、光隔离等场景。

SFH 300 PhototransistorsOptical Detectors & Sensors选型参数

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上升时间(最大值) 10 μs
下降时间(典型值) 140 mV
光电流(IPCE) 4800 μA
功率 - 最大值 200 mW
半角 25°
发射极-集电极电压(最大值) 7 V
安装类型 通孔
封装/外壳 径向 - 2 引线
工作温度 -40°C ~ 100°C
方向 顶视图
暗电流(ICEO) 1 nA
暗电流(最大值) 50 nA
最大光敏面积 0.11 mm²
最大功率 200 mW
最大集电极浪涌电流(T ≤ 10 μs) 100 mA
波长 880nm
电压 - 集射极击穿(最大值) 35 V
电容(Vce=0V, f=1 MHz) 7.5 pF
电流 - 暗 (Id)(最大值) 50 nA
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 mA
视角 50°
集射极击穿电压(最大值) 35 V
集电极-发射极饱和电压 7.5 pF
集电极电流(最大值) 50 mA
静电放电耐受电压(HBM) 2 kV

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文件名称 大小 操作
SFH 300_EN 1.13 MB
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