反向传输电容(Crss):5pF |
存储温度:-65°C至150°C |
工作频率:1 MHz至500 MHz |
最大工作结温:200°C |
最大耗散功率:87.5W |
最小增益:12dB |
漏极电流:10A |
漏源击穿电压:70V |
结壳热阻:最大2.0°C/W |
输入电容(Ciss):120pF |
输出电容(Coss):60pF |
频率范围:1MHz到500MHz |
存储温度:-65°C至150°C |
最大工作结温:200°C |
最大耗散功率:389W |
最小增益:10dB |
漏极电流:25A |
漏源击穿电压:70V |
结壳热阻:最大0.45°C/W |
频率范围:1MHz到175MHz |
反向传输电容:7.5pF |
存储温度:-65°C至150°C |
最大工作结温:200°C |
最大漏极电流:15A |
最小增益:16dB |
栅源击穿电压:±20V |
漏源击穿电压:70V |
输入电容:180pF |
输出电容:90pF |
工作频率:50MHz到1GHz |
功率耗散:17.5W |
反向传输电容:0.5pF |
存储温度:-65°C至150°C |
最大工作结温:200°C |
最大漏极电流:1A |
最小增益:13dB |
栅源击穿电压:±20V |
漏源击穿电压:65V |
输入电容:12pF |
输出电容:6pF |
频率范围:1MHz到1GHz |
功率耗散:35W |
反向传输电容:3pF |
存储温度:-65°C至150°C |
最大工作结温:200°C |
最大漏极电流:6A |
最小增益:10dB |
栅源击穿电压:±20V |
漏源击穿电压:40V |
输入电容:36pF |
输出电容:30pF |
频率范围:1MHz到2GHz |
功率耗散:83W |
反向传输电容:4pF |
存储温度:-65°C至150°C |
最大工作结温:200°C |
最大漏极电流:8A |
最小增益:10dB |
栅源击穿电压:±20V |
漏源击穿电压:40V |
热阻(结-壳):Max. 2.1°C / W |
输入电容:48pF |
输出电容:40pF |
交叉电容:1pF |
存储温度:-65°C至150°C |
封装类型:SO8 |
工作频率:1MHz到1GHz |
最大工作结温:200°C |
最大漏极电流:4A |
最小增益:10dB |
栅源击穿电压:±20V |
漏源击穿电压:40V |
输入电容:12pF |
输出电容:10pF |
查看更多