TTElectronics/Semelab D2001UK TTElectronics/Semelab
TTElectronics/Semelab D2001UK 高性能硅DMOS射频场效应管(RFFET)
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2026-07-16 03:03:48
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D2001UK
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TTElectronics/Semelab
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7 周
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深圳汇通创新
产品概述
D2001UK是Semelab plc生产的一款金层化多功能硅DMOS射频场效应管(RF FET)，专为2.5W功率范围内的应用设计，适用于28V以下的电压，并且能够处理高达1GHz的频率。这款产品以其高增益和低噪声特性，非常适合用于VHF/UHF通信领域。
核心特点/优势
- 简化放大器设计，减少组件数量和复杂性
- 适用于50MHz到1GHz的VHF/UHF通信
- 低交叉电容（Crss），减少信号失真
- 简单的偏置电路，易于集成
- 低噪声，适合高保真通信系统
- 高增益，最小13dB
- 符合RoHS标准，环保可靠
应用领域
- VHF/UHF通信：在50MHz到1GHz的频率范围内，适用于各种通信系统
- 金属栅射频硅场效应管：采用先进的金属栅技术，提供更好的性能和可靠性
- TetraFET技术：利用TetraFET技术，提供更高的功率处理能力和更优的热性能
选型指南/使用建议
在使用D2001UK时，需注意其陶瓷部分含有氧化铍，氧化铍粉尘具有高毒性，处理和安装时必须小心，避免损坏该区域。产品封装类型为金层化多功能硅DMOS射频场效应管，详细尺寸数据可在产品数据手册中找到。建议在使用前确认数据手册为最新版本，以确保参数和测试条件的准确性。
D2001UK TTElectronics/Semelab选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 功率耗散 | 17.5W | |
| 反向传输电容 | 0.5pF | |
| 存储温度 | -65°C至150°C | |
| 工作频率 | 50MHz到1GHz | |
| 最大工作结温 | 200°C | |
| 最大漏极电流 | 1A | |
| 最小增益 | 13dB | |
| 栅源击穿电压 | ±20V | |
| 漏源击穿电压 | 65V | |
| 输入电容 | 12pF | |
| 输出电容 | 6pF |
产品替代
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D2001UK TTElectronics/Semelab资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| TT-D2001UK | 94.37 KB | 下载 |
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