TTElectronics/Semelab D1023UK TTElectronics/Semelab

TTElectronics/Semelab D1023UK 高性能硅DMOS射频场效应管(RFFET)

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2026-08-03 11:18:47
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  • D1023UK

  • 半导体封测

  • TTElectronics/Semelab

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产品概述

D1023UK是由Semelab plc生产的一款高性能的多功能硅DMOS射频场效应管(RF FET)。这款产品专为60W功率范围内的应用设计,适用于28V以下的电压,并且能够处理高达175MHz的频率。D1023UK的设计旨在简化放大器设计,提供宽带应用的解决方案,同时具备低交叉电容(Crss)和简单的偏置电路设计。

核心特点/优势

  • 简化放大器设计,减少组件数量和复杂性
  • 适用于1MHz到175MHz的HF/VHF通信
  • 低交叉电容(Crss),减少信号失真
  • 简单的偏置电路设计,便于集成
  • 低噪声,适合高保真通信系统
  • 高增益,最小增益为16dB
  • 符合RoHS标准,环保可靠

应用领域

  • HF/VHF通信:在1MHz到175MHz的频率范围内,适用于各种通信系统
  • 金属栅射频硅场效应管:采用先进的金属栅技术,提供更好的性能和可靠性
  • TetraFET技术:利用TetraFET技术,提供更高的功率处理能力和更优的热性能

选型指南/使用建议

在使用D1023UK时,需注意其陶瓷部分含有氧化铍,氧化铍粉尘具有高毒性。在处理和安装时必须小心,避免损坏该区域。此外,产品数据手册中提供了详细的尺寸和封装信息,建议在订购前确认数据手册的最新版本。

D1023UK 半导体封测选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
特 性
频率范围 1MHz到175MHz
更多规格
反向传输电容 7.5pF
存储温度 -65°C至150°C
最大工作结温 200°C
最大漏极电流 15A
最小增益 16dB
栅源击穿电压 ±20V
漏源击穿电压 70V
输入电容 180pF
输出电容 90pF

产品替代

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D1023UK 半导体封测资源附件
文件名称 大小 操作
TT-D1023UK 77.6 KB
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