供电电压:±15 V |
响应时间:<5 μs |
存储温度范围:-25..+85 ℃ |
工作温度范围:-10..+80 ℃ |
温度系数(输出电压):±0.1 %/K |
电气偏移电压:<±20 mV |
电流消耗:±15 mA |
精度:1 %FS |
线性误差:≤±1 % |
负载电阻:>10 kΩ |
质量:300 g |
输出内阻:100 Ω |
输出电压范围:±4 V |
迟滞偏移电压:<±10 mV |
隔离电压:3000 V |
隔离电阻:>1000 MΩ @ 500 VDC |
频率带宽:DC..25 kHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<5 μs |
存储温度范围:-25..+85 ℃ |
工作温度范围:-10..+80 ℃ |
电流消耗:±15 mA |
精度:1 %FS |
负载电阻:>10 kΩ |
质量:300 g |
输出内阻:100 Ω |
输出电压范围:±4 V |
隔离电压:3000 V |
隔离电阻:>1000 MΩ @ 500 VDC |
频率带宽:DC..25 kHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<5 μs |
存储温度范围:-25..+85 ℃ |
工作温度范围:-10..+80 ℃ |
电流消耗:±15 mA |
精度:1 %FS |
负载电阻要求:>10 kΩ |
输出内阻:100 Ω |
输出电压范围:±4 V |
隔离电压:3000 V |
隔离电阻:>1000 MΩ @500 VDC |
频率带宽:DC..25 kHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<5 μs |
存储温度范围:-25..+85 ℃ |
工作温度范围:-10..+80 ℃ |
电流消耗:±15 mA |
精度:1 %FS |
负载电阻:>10 kΩ |
输出内阻:100 Ω |
输出电压范围:±4 V |
隔离电压:3000 V |
隔离电阻:>1000 MΩ @500VDC |
频率带宽:DC..25 KHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<3 μs(90%阶跃响应) |
工作温度范围:-25...+85 ℃ |
温度系数(偏移电压):<±1 mV/K |
温度系数(输出电压):<±0.05 %/K |
电气偏移电压:<±10 mV(@25℃) |
电流消耗:<25 mA |
磁偏移电压:<±10 mV |
精度:1 %FS |
线性度误差:±0.5% |
绝缘电阻:>500 MΩ(@500 VDC) |
负载电阻:>1 kΩ(0...+70℃),>3 kΩ(-25...+85℃) |
输出电压:±4 V |
频率带宽:DC...50 kHz |
供电电压 (Uc):±15 V(±5%) |
响应时间 (tr):<3 μs |
工作温度范围 (TA):-25...+85 ℃ |
工作电流 (IC):<25 mA |
测量范围 (IPM):±300...±1000 A |
温度系数 (TCVout):<±0.05 %/K |
精度:1 %FS |
绝缘电阻 (RINS):>500 MΩ(50 VDC) |
负载电阻 (R):>1 kΩ(0...+70℃),>3 kΩ(-25...+85℃) |
输出电压 (Vout):±4 V |
重量:230 g |
频率带宽 (BW):DC...50 kHz |
额定一次电流 (IPN):100...1000 A |
供电电压:±15 V |
响应时间:<3 μs(90%阶跃响应) |
存储温度范围:-25...+85 ℃ |
工作温度范围:-25...+85 ℃ |
温度系数(偏移电压):<±1 mV/K |
温度系数(输出电压):<±0.05 %/K |
电气偏移电压:<±10 mV @25℃ |
电流消耗:<25 mA |
磁偏移电压:<±10 mV(过载3×IPN后) |
精度:1 %FS |
线性误差:±0.5 % |
绝缘电阻:>500 MΩ @500 VDC |
负载电阻:>1 kΩ(@0...+70℃), >3 kΩ(@-25...+85℃) |
质量:230 g |
输出电压范围:±4 V |
频率带宽:DC...50 kHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<3 μs(90% IPN阶跃响应) |
存储温度范围:-25...+85 ℃ |
工作温度范围:-25...+85 ℃ |
工作电流:<25 mA |
温度系数(偏移电压):<±1 mV/K |
温度系数(输出电压):<±0.05 %/K |
电气偏移电压:<±10 mV(@25℃) |
磁偏移电压:<±10 mV(过载3×IPN后) |
精度:1 %FS |
线性误差:±0.5 % |
绝缘电阻:>500 MΩ(@500 VDC) |
负载电阻:>1 kΩ(@0...+70℃), >3 kΩ(@-25...+85℃) |
输出电压:±4 V |
重量:230 g |
频率带宽:DC...50 kHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<3 μs(90%阶跃响应) |
工作温度范围:-25...+85 ℃ |
标称一次电流:500 A |
测量范围:±1000 A |
温度系数(偏移电压):<±1 mV/K |
温度系数(输出电压):<±0.05 %/K |
电流消耗:<25 mA |
精度:1 %FS |
线性误差:±0.5% |
绝缘电阻:>500 MΩ(@500 VDC) |
负载电阻:>1 kΩ(@0...+70℃),>3 kΩ(@-25...+85℃) |
质量:230 g |
输出电压:±4 V |
频率带宽:DC...50 kHz |
供电电压:±15 V |
响应时间:<3 μs(90%阶跃响应) |
工作温度范围:-25...+85 ℃ |
温度系数(偏移电压):<±1 mV/K |
温度系数(输出电压):<±0.05 %/K |
电流消耗:<25 mA |
精度:1 %FS |
线性度误差:±0.5% |
绝缘电阻:>500 MΩ(@500 VDC) |
负载电阻:>1 kΩ(@0...+70℃),>3 kΩ(@-25...+85℃) |
质量:230 g |
输出电压:±4 V |
频率带宽:DC...50 kHz |
供电电压:±15 V(±5%) |
响应时间:<3 μs(90%阶跃响应) |
安装方式:面板安装(水平或垂直) |
工作温度范围:-25...+85 ℃ |
工作电流:<25 mA |
温度系数(输出电压):<±0.05 %/K |
精度:1 %FS |
绝缘电阻:>500 MΩ(@500 VDC) |
负载电阻:>1 kΩ(@0...+70℃),>3 kΩ(@-25...+85℃) |
输出电压:±4 V |
重量:230 g |
频率带宽:DC...50 kHz(-3 dB) |
供电电压 (Uc):±15 V(±5%) |
功耗 (IC):<25 mA |
响应时间 (tr):<3 μs(90%阶跃响应) |
存储温度范围 (Ts):-25...+85 ℃ |
工作温度范围 (TA):-25...+85 ℃ |
测量范围 (IPM):±1000 A |
温度系数 (TCVout):<±0.05 %/K |
精度:1 %FS |
绝缘电阻 (RINS):>500 MΩ(50 VDC) |
负载电阻 (R):>1 kΩ(0...+70℃),>3 kΩ(-25...+85℃) |
输出电压 (Vout):±4 V |
重量:230 g |
频率带宽 (BW):DC...50 kHz |
额定一次电流 (IPN):100...1000 A |
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