小程序
传感搜
传感圈
济宁宝盛信息科技
济宁宝盛信息科技有限公司 主要从事新能源，物联网方面，传感器及控制芯片研发与制造。公司与多家传感器制造商/半导体生产商建立了稳定、长久的合作关系，积累了专业的传感器知识及丰富的销售经验集团化资源，丰富的储备，能够为用户提供专业、完善的解决方案。经营品牌：honeywell/霍尼韦尔：压力传感器、电流传感器、温湿度传感器、钮子开关、空气质量流量传感器、气体传感器、霍尔效应/磁传感器等。LEM/莱姆：电流传感器、电压传感器。NXP/恩智浦（Freescale/飞思卡尔)：压力传感器、加速度传感器。我们的优势专业的运营团队
访问主页

  • LEM/莱姆 LA25-P LEM电流传感器

    供电电压（±5%）:±12...15 V
    初级额定电流（IPN）:25 A
    匝数比（LsN）:1:1000
    存储温度范围（TA5t）:-40...+90 ℃
    工作温度范围（TA）:-25...+85 ℃
    延迟时间（10%）:<500 ns
    延迟时间（90%）:<1 μs
    次级绕组电阻（@70℃）:80 Ω
    次级绕组电阻（@85℃）:85 Ω
    次级额定电流（NINS）:25 mA
    温度变化引起的偏移电流（-25℃...+85℃）:±0.1...±0.6 mA
    温度变化引起的偏移电流（0℃...+70℃）:±0.1...±0.5 mA
    电气偏移电流（LE）@I=0，T=25℃:±0.2 mA
    电流类型:交流;直流
    磁偏移电流（IOM）@I=0，过载3×IPN后:±0.3 mA
    精度（误差@IPN, TA=25℃）:±0.95 @±15V(±5%)，±1.25 @±12...15V(±5%)
    线性度误差（εL）:<0.15 %
    质量:16 g
    频率带宽（-1dB）:DC..200 kHz

  • LEM/莱姆 LA25-NP LEM电流传感器

    一次绕组电阻（25℃）:110 mΩ
    二次绕组电阻（70℃/85℃）:115 Ω
    二次额定电流（RMS）:1000 mA
    供电电压:±15 V
    响应时间（90%阶跃响应）:1 μs（di/dt = 100 A/μs）
    存储温度范围:-45...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    总误差（IPN, 25℃）:<0.2%
    测量范围（一次电流）:0...±36 A
    电气偏移电流（IE）:±0.05 mA（典型）, ±0.15 mA（最大）
    电流消耗:10 + Is mA
    电流类型:交流;直流
    磁偏移电流（LOM）:±0.15 mA
    线性误差（εL）:<0.2%
    绝缘电阻（500V, 25℃）:>1500 MΩ
    质量:22 g
    频率带宽（-1dB）:DC...150 kHz
    额定一次电流（RMS）:25 A

  • LEM/莱姆 LA25-NP/SP11 LEM电流传感器

    供电电压（Uc）:±15 V
    匝数比（Np:Ns）:25:1000
    存储温度范围（TAs）:-25...+85 ℃
    工作温度范围（TA）:0...+70 ℃
    延迟时间（90%输出）:< 1 μs
    总误差（Total error）:±0.5 %
    测量范围（Ipm）:0…±1.5 A
    电流类型:交流;直流
    线性误差（Linearity error）:< 0.2 %
    绝缘电阻（@500V, 25℃）:>1500 MΩ
    质量（m）:22 g
    频率带宽（-1dB）:DC...150 KHz
    额定一次电流（IPN）:1 A
    额定二次电流（ISN）:25 mA

  • LEM/莱姆 LA25-NP/SP14 LEM电流传感器

    一次侧额定电流（IPN）:0.25 A
    二次侧额定电流（ISN）:25 mA
    供电电压（Uc）:±15 V
    匝数比（NP/NS）:100:1000
    存储温度范围（TAs）:-25℃...+85℃
    工作温度范围（TA）:-10℃...+70℃
    延迟时间（90%输出）:<1 μs
    电流消耗（I）:10 + Is mA
    电流类型:交流;直流
    绝缘电阻（RINS）:>1500 MΩ
    质量（m）:22 g
    输出电阻（RM）:100 Ω 至 320 Ω
    频率带宽（BW）:DC...150 kHz

  • LEM/莱姆 LA55-P LEM电流传感器

    二次绕组电阻:80Ω
    二次额定电流（RMS）:50mA
    供电电压:±12...15V（±5%）
    匝数比:1:1000
    存储温度范围:-40...+90℃
    工作温度范围:-40...+85℃
    测量范围:0...±70A
    温度漂移（Io）:±0.2mA（-25℃...+85℃）, ±1.0mA（-40℃...-25℃）
    电流类型:交流;直流
    磁偏置电流（TA=25℃）:±0.3mA
    线性度误差:<0.15%
    误差（TA=25℃）:±0.65%（@±15V）, ±0.90%（@±12...15V）
    质量:18g
    输出失调电流（TA=25℃）:±0.2mA
    输出延迟时间（10%）:<500ns
    输出延迟时间（90%）:<1μs
    频率带宽:DC...200kHz
    额定一次电流（RMS）:±70A

  • LEM/莱姆 LA55-P/SP50 LEM电流传感器

    二次绕组电阻:80Ω
    二次额定RMS电流:50mA
    供电电压:±12...15V（±5%）
    匝数比:1:1000
    存储温度范围:-40...+90℃
    工作温度范围:-40...+85℃
    测量范围:0...±70A
    电流类型:交流;直流
    符合标准:EN50178:1997, UL508:2010
    线性度误差:<0.15%
    质量:18g
    频率带宽:DC...200kHz
    额定一次电流（RMS）:±70A

  • LEM/莱姆 LA100-P LEM电流传感器

    供电电压:±12...15 V
    匝数比:1:2000
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    标准认证:EN50178:1997, UL508:2010
    测量电阻:0...102 Ω
    电流类型:交流;直流
    精度（误差）:±0.45% @ ±15V, ±0.70% @ ±12...15V
    线性度误差:<0.15% Typ, <0.15% Max
    质量:128 g
    输出延迟时间（10%）:<500 ns
    输出延迟时间（90%）:<1 μs
    频率带宽:DC...200 kHz
    额定一次电流:0...±150 A
    额定二次电流:±33.2 mA

  • LEM/莱姆 LA100-P/SP50 LEM电流传感器

    二次绕组电阻:25 Ω
    供电电压:±12...15 V
    响应时间（D90）:<1 μs
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    延迟时间（D10）:<500 ns
    温度漂移（IOE）:±0.10 mA
    电流类型:交流;直流
    磁偏置电流（IOM）:±0.15 mA
    线性度误差（εL）:<0.15%
    质量:128 g
    频率带宽（-1dB）:DC...200 kHz
    额定一次电流（RMS）:0...±100 A
    额定二次电流（RMS）:±50 mA

  • LEM/莱姆 LA130-P LEM电流传感器

    电流类型:交流;直流

  • LEM/莱姆 LA130-P/SP1 LEM电流传感器

    一次电流测量范围:0...±200 A
    二次绕组电阻:64±2 Ω
    供电电压:±12...15 V
    冲击耐压:8 kV
    存储温度范围:-40℃...+90℃
    安装方式:PCB安装
    封装类型:绝缘塑料外壳（UL94-V0）
    工作温度范围:-40℃...+85℃
    延迟时间（10%~90%）:<500 ns
    温度漂移:±0.15 mA
    爬电距离:8 mm
    电气间隙:8 mm
    电流消耗:±15 V 时为 10 mA
    线性度误差:±0.10%
    绝缘测试电压（RMS）:4.3 kV
    转换比:1:2000
    重量:<25 g
    频率带宽:DC...150 kHz
    额定一次电流:130 A
    额定二次电流:65 mA

  • LEM/莱姆 LA150-P LEM电流传感器

    一次侧测量范围:0...±212 A
    一次侧额定有效值电流:150 A
    二次侧额定有效值电流:1:2000
    二次绕组电阻:64±2 Ω
    供电电压:±12...15 V
    温度范围（存储）:-40...+90 ℃
    温度范围（工作）:-40...+85 ℃
    电流消耗:10(@±15V)+ImA
    电流类型:交流;直流
    线性误差:<0.5 %
    质量:<25 g
    频率带宽:DC...150 kHz

  • LEM/莱姆 LA125-P LEM电流传感器

    二次绕组电阻:32 Ω（@70℃）, 33.5 Ω（@85℃）
    供电电压:±12...15 V
    功耗:16 mA（@±15V）
    匝数比:1:1000
    响应时间（10%~90%）:<500 ns ~ <1 μs
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    最大di/dt响应:>200 A/μs
    测量范围（一次电流）:0...±200 A
    电流类型:交流;直流
    精度（额定电流下）:±0.60%
    线性度误差:<0.15%（典型值）
    质量:40 g
    频率带宽（-1dB）:DC...100 kHz
    额定一次电流（RMS）:125 A
    额定二次电流（RMS）:125 mA

  • LEM/莱姆 LA200-P LEM电流传感器

    CTI（比较跟踪指数）:175
    二次绕组电阻:76...80 Ω
    供电电压:±12...15 V
    冲击耐压:1.2/50 μs
    匝数比:1:2000
    响应时间（10%~90%）:<1 μs
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    安装孔尺寸:17×4.5 mm 或 13×11 mm
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    带宽:DC...100 kHz
    推荐PCB孔径:0.9 mm（二次连接）, 2.4 mm（附加固定）
    最大di/dt:>200 A/μs
    爬电距离:6.7 mm
    电流消耗:16 mA（@±15V）
    电流类型:交流;直流
    精度:±0.40%（@±15V）, ±0.65%（@±12...15V）
    线性误差:<0.15%
    绝缘电压（加强）:300 V
    绝缘电压（基本）:600 V
    额定一次电流:0...±300 A
    额定二次电流:100 mA

  • LEM/莱姆 LAH50-P LEM电流传感器

    一次电流测量范围:0...±110 A
    二次额定电流（RMS）:25 mA
    供电电压范围:±12...15 V
    偏移电流（I=0，T=25℃）:±0.15 mA
    匝数比:1:2000
    响应时间（10%）:<200 ns
    响应时间（90%）:<500 ns
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-25...+85 ℃
    总误差:±0.25 %
    温度漂移（-25℃...+85℃）:±0.40 mA
    温度漂移（0℃...+70℃）:±0.10 mA
    电流消耗:10 (@±15V）+Is mA
    电流类型:交流;直流
    磁偏移电流（I=0，过载5×IPN后）:±0.10 mA
    符合标准:EN50178:1997
    线性误差:<0.15 %
    质量:22 g
    频率带宽:DC...200 kHz
    额定一次电流（RMS）:50 A

  • LEM/莱姆 LAH100-P LEM电流传感器

    10%延迟时间:<200ns
    90%延迟时间:<500ns
    一次侧插入电感:0.007μH
    一次侧电阻:0.08mΩ
    一次电流测量范围:0...±160A
    供电电压范围:±12...15 V
    偏移电流（一次侧）:±300mA
    偏移电流（二次侧）:±0.15mA
    匝数比:1:2000
    存储温度范围:未明确
    安装方式:PCB安装
    工作温度范围:-25℃...+85℃
    总误差:±0.25%
    温度漂移（偏移电流）:±0.10/±0.40mA (0C...+70℃), ±0.10/±0.50mA (-25℃...+85℃)
    电流消耗:10（@±15V）+L mA
    电流类型:交流;直流
    磁偏移电流（二次侧）:±0.10/±0.15mA
    线性误差:<0.15%
    绝缘外壳:UL94-V0认证
    频率带宽:DC...200kHz
    额定一次电流:100A
    额定二次电流:50mA

  • LEM/莱姆 LAH125-P LEM电流传感器

    一次侧测量范围:0...±200 A
    一次侧额定均方根电流:125 A
    二次侧额定均方根电流:125 mA
    二次绕组电阻:34 Ω (70°C), 35 Ω (85°C)
    供电电压:±12...15 V
    偏移电流（一次侧）:±200 mA
    偏移电流（二次侧）:±0.20 mA
    匝数比:1:1000
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    延迟时间（10%）:<500 ns
    延迟时间（90%）:<1000 ns
    总误差:±0.41%
    温度漂移（偏移电流）:±0.65 mA (-25°C...+70°C), ±0.95 mA (-40°C...+85°C)
    电流类型:交流;直流
    磁偏移电流（二次侧）:±0.20 mA
    线性误差:<0.15%
    质量:30 g
    频率带宽:DC...100 kHz

  • LEM/莱姆 LAH25-NP LEM电流传感器

    一次侧插入电感:0.012...0.110 μH
    一次电流测量范围:0...±55 A
    供电电压:±12...15 V
    偏移电流（一次侧）:±150 mA
    偏移电流（二次侧）:±0.15 mA
    匝数比:1-2-3:1000
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-25...+85 ℃
    延迟时间（10%）:<200 ns
    延迟时间（90%）:<500 ns
    总误差（20°C，IPN）:±0.3%
    温度漂移（偏移电流）:±0.10...±0.70 mA
    电流类型:交流;直流
    磁偏移电流（二次侧）:±0.20...±0.25 mA
    线性度误差:<0.2%
    质量:20 g
    频率带宽:DC...200 KHz
    额定一次电流（RMS）:25 A
    额定二次电流（RMS）:25 mA

  • LEM/莱姆 LT58-S7 LT58-S7/SP1 LEM电流传感器

    副边线圈电阻:11Ω
    原边额定有效值电流:±50A
    反应时间:<500ns
    响应时间:>100μs
    总精度:±0.8%
    标准:prEN 50178
    测量电阻:140Ω
    测量范围:±70A
    温漂:±0.35±0.64 mA
    环境操作温度:-10~+70°C
    环境贮存温度:-25~+80°C
    电流消耗:28(@±12V)+Is mA
    电流类型:交流;直流
    电源电压:±12..15V
    磁性失调电流:±0.2mA
    线性度:<0.2%
    绝缘电压:6kV
    质量:64g
    转换率:1:1000
    零点失调电流:±0.1mA
    频带宽度:DC~100kHz

  • LEM/莱姆 LT108-S7 LT108-S7/SP1 LEM电流传感器

    di/dt跟随精度:>100 A/μs
    副边线圈电阻@TA=70°C:32 Ω
    副边额定有效值电流:1:2000
    原边额定有效值电流:100 A
    反应时间@10%oflPmax:<500 ns
    响应时间@90%oflPmax:<1 μs
    总精度@IPN, TA=25°C:±0.6%
    标准:prEN 50178
    测量电阻@±100Amax:0 Ω
    测量电阻@±150Amax:106 Ω
    温漂(-10°C~+70°C):±0.20~±0.64 mA
    环境操作温度:-10~+70 °C
    环境贮存温度:-25~+80 °C
    电流消耗:28 mA (@±12V)
    电流类型:交流;直流
    电源电压:±12..15 V
    线性度:<0.1%
    绝缘电压:6 kV (50Hz, 1分钟)
    质量:73 g
    零点失调电流@T=25°C:±0.15 mA
    频带宽度(-3dB):DC~100 kHz

  • LEM/莱姆 LT208-S7 LT208-S7/SP1 LEM电流传感器

    di/dt跟随能力:>100 A/μs
    交流隔离耐压测试有效值:3.52 kV
    副边额定有效值电流:100 mA
    原边电流测量范围:0..±300 A
    原边额定有效值电流:200 A
    反应时间（10% of IPN）:<500 ns
    响应时间（90% of IPN）:<1 μs
    总精度@IPN，TA=25℃:±0.5%
    比较路经指数（CTI）:275
    温漂（-10℃..+70℃）:±0.20±0.64 mA
    爬电距离:10 mm
    环境操作温度:-10..+70 ℃
    环境贮存温度:-25..+80 ℃
    电失调电流@I=0，T=25℃:±0.20 mA
    电气间隙距离:10 mm
    电流消耗:28 mA (@±12V)
    电流类型:交流;直流
    电源电压范围:±12..15 V
    瞬态耐压:6.5 kV
    磁性失调电流@I=0，过载3xIPN:±0.20 mA
    线性度:0.1%
    转换率:1:2000
    频带宽度(-3dB):DC..100 kHz

  • LEM/莱姆 LT308-S7 LT308-S7/SP1 LEM电流传感器

    di/dt跟随精度:>100 A/μs
    交流隔离耐压测试有效值:3.52 kV
    原边额定有效值电流:±300A
    反应时间to10%ofl:<500 ns
    响应时间t90%ofPN:<1 μs
    总精度@IPN，T=25℃:±0.5%
    比较路经指数(groupIa):275
    测量电阻:30 Ω
    测量范围:±500A
    温漂(-10℃..+70℃):±0.20±0.64 mA
    爬电距离:10 mm
    环境操作温度:-10..+70 ℃
    环境贮存温度:-25..+80 ℃
    电失调电流@I=0,T=25℃:±0.20 mA
    电气间隙距离:6 mm
    电流消耗:28 mA (@±12V)
    电流类型:交流;直流
    电源电压:±12..15 V
    瞬态耐压:6.5 kV
    磁性失调电流@I=0,通过3xIPN的过载:±0.20 mA
    线性度:<0.1%
    频带宽度（-3dB):DC..100 kHz

  • LEM/莱姆 LT308-S6 LEM电流传感器

    I的温漂(-10℃..+70℃):±500 ppm/℃
    di/dt跟随精度:>100 A/μs
    交流隔离耐压测试有效值:4.95 kV
    副边线圈电阻@T=70℃:31 Ω
    原边电流测量范围:±500A
    原边额定有效值电流:±300A
    反应时间to10%ofIPN:<1 μs
    响应时间to90%ofIPN:<1 μs
    总精度@IPN，TA=25℃:±0.5%
    比较漏电路径指数（CTI）:275
    测量电阻:0.30 Ω
    爬电距离:≥23 mm
    环境操作温度:-10..+70 ℃
    环境贮存温度:-25..+80 ℃
    电失调电流@I=0，T=25℃:±0.20 mA
    电气间隙距离:10 mm
    电流消耗:20 mA
    电流类型:交流;直流
    电源电压:±15..18 V
    瞬态耐压:9.1 kV
    磁性失调电流@I=0，通过3xIPN过载:±0.15 mA
    线性度:<0.1%
    质量:300 g
    频带宽度（-3dB）:DC..100 kHz

  • LEM/莱姆 LT508-S6 LEM电流传感器

    二次绕组电阻:60Ω
    二次额定电流:100mA
    供电电压:±15...18V
    存储温度范围:-25...+80°C
    工作温度范围:-10...+70°C
    带载响应时间:≤1ns
    整体精度:±0.4%
    最大di/dt跟随能力:>100A/μs
    测量范围:0...±800A
    电流类型:交流;直流
    线性度误差:±0.1%
    质量:320g
    转换比:1:5000
    阶跃响应时间:90% IPN
    频率带宽:DC...100kHz
    额定一次电流:500A

  • LEM/莱姆 LF205-S LEM电流传感器

    一次侧测量范围:0...±420 A
    一次侧额定均方根电流:200 A
    二次侧额定均方根电流:100 mA
    二次绕组电阻（70℃）:33 Ω
    二次绕组电阻（85℃）:35 Ω
    供电电压:±12...15 V
    匝数比:1:2000
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    总误差:±0.5%
    电流消耗:17+Is mA
    电流类型:交流
    线性误差:≤0.1%
    质量:78 g
    频率带宽:DC...100 kHz

  • LEM/莱姆 LF205-S/SP1 LEM电流传感器

    一次电流测量范围:0...±420 A
    二次绕组电阻（@TA=70°C）:33 Ω
    二次绕组电阻（@TA=85°C）:35 Ω
    供电电压:±12...15 V
    匝数比:1:2000
    存储温度范围:-40...+90 ℃
    工作温度范围:-40...+85 ℃
    总误差（@IpN, TA=25°C）:±0.5%
    电流消耗:17 + Is mA
    线性度误差:≤0.1%
    质量:78 g
    频率带宽（-3dB）:DC...100 kHz
    额定一次电流（RMS）:200 A
    额定二次电流（RMS）:100 mA
1 2 3

查看更多

登录传感器专家网查看更多信息

立即登录 免费注册