磁滞宽度:0.8 mT |
输出电流最大值:±1 mA |
安装风格:SMD/SMT |
工作点磁场(B_op):3.7 mT |
工作温度:-40°C ~ +85°C |
输出接口类型:CMOS |
封装类型:VCSP50L1 |
RoHS 标准:Y |
电源电流(典型值):6.5 μA |
工作电源电压:3 V |
RoHS:Y |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
响应周期:50 ms |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
封装:Reel |
工作电源电流:6.5 uA |
工厂包装数量:3000 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
类型:Monolithic |
系列:BU52002GUL |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Magnetic Sensor 2.4-3.3V; 50mS |
静电放电(ESD)耐受:8 kV (HBM) |
磁滞宽度:0.8 mT |
安装风格:SMD/SMT |
工作电流 (Icc):5 μA |
工作点磁场(B_op):+/-4.6 mT |
工作温度:-40 °C ~ +85 °C |
工作电压保护范围:1.65 V ~ 3.6 V |
输出接口类型:CMOS |
封装数量:5000 |
封装类型:SSON004X1216 |
工作电源电压:3 V |
类 型:Omnipolar Detection Hall IC |
RoHS:Y |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
周期:50 ms |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
封装:Reel |
工作电源电流:5 uA |
工厂包装数量:5000 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Detection Hall IC |
系列:BU52056NVX |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omnipolar Detection Hall IC |
静电放电(ESD)耐受性:6 kV (HBM) |
磁滞宽度:0.9 mT |
安装风格:SMD/SMT |
工作点磁场(B_op):-3.0 mT |
工作温度:-40°C 至 +85°C |
输出接口类型:CMOS |
输出电压:VDD - 0.2 V;0.2 V |
封装数量:3000 |
封装类型:HVSOF-5;Reel |
B_rp (Gs,25°C):-0.6 mT |
RoHS 标准:Y |
电流消耗(待机模式):1.8 μA |
工作电源电压:2.5 V |
RoHS:Y |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
启动电流:2.8 mA |
周期:50 ms |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
封装:Reel |
封装 / 箱体:HVSOF-5 |
工作电流(平均):3.5 μA |
工厂包装数量:3000 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
检测类型:单极检测 |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Unipolar |
系列:BU52013HFV |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 MONO DETECTION SENSOR; 1.65-3.3V |
磁滞宽度:0.9 mT |
最大工作温度(焊接):+85 C |
安装风格:SMD/SMT |
工作温度:-40 C |
封装内含:Reel |
子类别:Sensors |
电源电流(典型值):5 uA |
工作电源电压:3 V |
类 型:Omnipolar Detection Hall IC |
RoHS:Y |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
启动期间供电电流:2.8 mA |
周期:50~100 ms |
商标:ROHM Semiconductor |
封装:Reel |
工作电源电流:5 uA |
工厂包装数量:3000 |
平均供电电流:5~8 μA |
待机期间供电电流:1.8 μA |
操作点:+/-6.3 mT |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
类型:Omnipolar Detection Hall IC |
系列:BU52054GWZ |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Hall Effect Sensor 0.5mA Omnipolar |
输出低电压:0.2 V |
输出高电压:VDD-0.2 V |
释放点:3.5~5.4 mT |
磁滞宽度:0.9 mT (Typ) |
磁极检测类型:Omnipolar Detection (S-pole and N-pole) |
安装风格:SMD/SMT |
工作温度:-40°C to +85°C |
输出接口类型:CMOS |
封装数量:3000 |
封装类型:CSP-4 |
电源电流(典型值):5 μA |
工作电源电压:1.65 V to 3.6 V |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Latches / Switches |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:CSP-4 |
封装尺寸 (W x D x H):0.80 mm x 0.80 mm x 0.40 mm |
工作周期:50 ms (Typ) |
工作电源电流:5 uA |
工厂包装数量:3000 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
磁感应强度操作点:±15.0 mT (Typ) |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Detection Hall IC |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omnipolar Detection Hall IC Dual Outputs |
输出类型:CMOS |
静电放电 (ESD) 抗扰度:8 kV (HBM) |
最大工作温度(焊接):+85 °C |
工作温度:-40 °C |
输出接口类型:CMOS |
封装材料:VSON04Z1114A |
封装数量:5000 |
封装类型:卷带(Reel) |
RoHS 标准:Y |
电源电流(典型值):4.4 μA |
工作电源电压:1.65 V to 3.6 V |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Latches / Switches |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
周期:50 ms |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:VSON04Z1114A |
工作电源电流:4.4 uA |
工厂包装数量:5000 |
操作点:±6.3 mT |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
检测磁场类型:全极性检测(南北极) |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Hall IC |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omniplar Det Hall IC 1.65-3.6V Vcc 50ms |
输出类型:CMOS |
迟滞:0.9 mT |
最大工作温度(焊接):+85 °C |
工作温度:-40 °C |
输出接口类型:CMOS |
封装材料:VSON04Z1114A |
封装数量:5000 |
封装类型:Reel |
RoHS 标准:Y |
子类别:Sensors |
电源电流(典型值):4.4 μA |
工作电源电压:1.65 V to 3.6 V |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Latches / Switches |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
周期:50 ms (Typ) |
商标:ROHM Semiconductor |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:VSON04Z1114A |
工作电源电流:4.4 uA |
工厂包装数量:5000 |
操作点:±4.1 mT (Typ) |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Hall IC |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omniplar Det Hall IC 1.65-3.6V Vcc 50ms |
输出类型:CMOS |
迟滞:0.8 mT (Typ) |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
输出类型:CMOS |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
存储温度范围:-40 to +125 °C |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Switches |
周期:50 ms (Typ) |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:VSON-4 |
封装 / 箱体:VSON-4 |
工作电源电压:1.65 V to 3.6 V |
工作电源电流:4.2 uA |
工厂包装数量:5000 |
操作点:±6.3 mT (Typ) |
最大结温:125 °C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
电源电流(平均):4.2 μA (Typ) |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Detection |
绝对最大电源电压:4.5 V |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omniplr Det Hall IC VSON04Z1114A; 6.3mT |
输出低电压:0.2 V |
输出高电压:VDD - 0.2 V |
迟滞:0.9 mT (Typ) |
磁滞宽度:0.8 mT |
工作电流 (Icc):4.2 μA |
工作温度:-40 °C to +85 °C |
工作电压保护范围:1.65 V to 3.6 V |
输出接口类型:CMOS |
封装类型:VSON-4 |
储存温度范围:-40 °C to +125 °C |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Latches / Switches |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:VSON-4 |
工作电源电压:1.65 V to 3.6 V |
工作电源电流:4.2 uA |
工厂包装数量:5000 |
最大工作温度:+ 85 C |
最大结温:125 °C |
最小工作温度:- 40 C |
检测周期:50 ms |
热阻(Junction to Ambient):512.5 °C/W |
热阻(Junction to Top):281 °C/W |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
磁感应触发点:±4.1 mT |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Detection |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omniplr Det Hall IC VSON04Z1114A; 4.1mT |
输出类型:CMOS |
最大工作温度(焊接):+85 °C |
工作电流 (Icc):4.2 μA |
工作温度:-40 °C |
工作电压保护范围:1.65 V to 3.6 V |
输出接口类型:CMOS |
封装尺寸:1.10mm x 1.40mm x 0.40mm |
封装类型:VSON-4 |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Switches |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品:
此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:VSON-4 |
工作电源电压:1.65 V to 3.6 V |
工作电源电流:4.2 uA |
工厂包装数量:5000 |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
检测周期:50 ms |
检测磁场强度:±2.4 mT |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:1.65 V |
端接类型:SMD/SMT |
类型:Omnipolar Detection |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omniplr Det Hall IC VSON04Z1114A; 2.4mT |
输出类型:CMOS |
迟滞:0.4 mT |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 25 C |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
系列:BU52742GUL |
类型:Bipolar |
RoHS:Y |
产品:Hall Effect Latches |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
封装 / 箱体:XFBGA-6 |
封装/箱体:XFBGA-6 |
工作电源电压:3 V |
工作电源电流:7.5 mA |
工厂包装数量:3000 |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:2.4 V |
端接类型:SMD/SMT |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 HALL EFFECT SENSOR 7.5MA BIPOLAR 4PIN |
磁滞宽度:0.9 mT |
最大工作温度(焊接):+85 C |
安装风格:SMD/SMT |
工作点磁场(B_op):+/-3.0 mT |
工作温度:-40 C |
输出接口类型:CMOS |
输出电压:0.4 V |
封装内含:Reel |
封装数量:5000 |
封装类型:SSON004X1216 |
电源电流(典型值):8 uA |
工作电源电压:3 V |
类 型:Omnipolar Detection Hall IC |
RoHS:Y |
产品类型:Hall Effect / Magnetic Sensors |
周期:50 ms |
商标:ROHM Semiconductor |
子类别:Sensors |
寿命周期:NRND:
不建议用于新设计。 |
封装:Reel |
工作电源电流:8 uA |
工厂包装数量:5000 |
平均供电电流:5.0 μA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
电源电压-最大:3.6 V |
电源电压-最小:2.4 V |
类型:Omnipolar Detection Hall IC |
说明:板机接口霍耳效应/磁性传感器 1.65-5.5V CMOS Out Bipolar Detect Latch |
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