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ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52494NUZ-ZE2 板机接口霍耳效应/磁性传感器

2026-06-28 21:44:53

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型号：
BU52494NUZ-ZE2
类别：
板机接口霍耳效应/磁性传感器
品牌：
ROHM Semiconductor 罗姆半导体
货期：
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制造商：
ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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产品概述

BU52494NUZ-ZE2 是 ROHM Semiconductor 推出的一款板机接口霍耳效应/磁性传感器，采用 Omnipolar Detection 技术，能够同时检测 S 极和 N 极磁场。该产品适用于平板电脑、智能手机、笔记本电脑、数字摄像机和数字相机等设备，用于检测盖子的开合状态。该霍耳效应开关采用 VSON-4 封装，具有超低功耗、微型封装和动态偏移消除功能，适用于对空间和功耗要求较高的应用。

核心特点/优势

支持 Omnipolar Detection，可同时检测 S 极和 N 极磁场
超低功耗运行，平均工作电流为 4.2 μA
采用超小型 VSON-4 封装，节省空间
动态偏移消除电路，提高检测精度
工作电压范围宽（1.65 V to 3.6 V），适用于多种电源环境
工作温度范围广（-40 °C to +85 °C），适用于多种环境

应用领域

平板电脑
智能手机
笔记本电脑
数字摄像机
数字相机

选型指南/使用建议

BU52494NUZ-ZE2 采用 VSON-4 封装，适用于 SMD/SMT 安装方式。建议在电源引脚附近安装去耦电容以减少电源噪声。在设计 PCB 时，应确保低阻抗电源线路和良好的接地设计，以提高系统稳定性。此外，应避免在强电磁场环境中使用，以防止误操作。该产品适用于需要检测磁性盖子开合状态的设备，推荐用于对功耗和空间要求较高的应用。

BU52494NUZ-ZE2 板机接口霍耳效应/磁性传感器选型参数

规格项	参数值	勾选搜索替代
更多规格
最大工作温度	+85 C
最小工作温度	-40 C
输出类型	CMOS
产品类型	Hall Effect / Magnetic Sensors
RoHS	Y
存储温度范围	-40 to +125 °C
产品	Hall Effect Switches
产品类型	Hall Effect / Magnetic Sensors
周期	50 ms (Typ)
商标	ROHM Semiconductor
子类别	Sensors
安装风格	SMD/SMT
寿命周期	新产品: 此制造商的新产品。
封装	VSON-4
封装 / 箱体	VSON-4
工作电源电压	1.65 V to 3.6 V
工作电源电流	4.2 uA
工厂包装数量	5000
操作点	±6.3 mT (Typ)
最大工作温度	+ 85 C
最大结温	125 °C
最小工作温度	- 40 C
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	1.65 V
电源电流（平均）	4.2 μA (Typ)
端接类型	SMD/SMT
类型	Omnipolar Detection
绝对最大电源电压	4.5 V
说明	板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omniplr Det Hall IC VSON04Z1114A; 6.3mT
输出低电压	0.2 V
输出类型	CMOS
输出高电压	VDD - 0.2 V
迟滞	0.9 mT (Typ)