交付周期:In stock |
产品型号:TMR2102 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:MMLP57F |
失调电压:-20~20 mV/V |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流(DFN8):22 μA |
工作电流(SOP8):11 μA |
敏度(mV/V/Oe):4.9 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声:~10 nT/rt(Hz) @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~10 |
灵敏度:4.9 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-1160 PPMC |
电阻:90/45 kΩ |
电阻温度系数:-820 PPM/℃ |
电阻(kΩ):90/45 |
磁滞:0.1 Oe |
磁滞范围:0.1~0.2 Oe |
磁滞(Oe):0.1 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:1 %FS |
饱和场:±90 Oe |
饱和场(Oe):±90 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2103 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
失调电压:-15~15 mV/V |
失调电压温度系数:-640 PPMC |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75) |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流:60 μA |
敏度(mV/V/Oe):6 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声:~10 nT/rt(Hz) @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~10 |
灵敏度:6 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-13 PPM/℃ |
电阻:50 kΩ |
电阻(kΩ):50 |
磁滞:0.3 Oe |
磁滞(Oe):0.3 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:0.5 %FS |
饱和场:±75 Oe |
饱和场(Oe):±75 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR2104 |
供电电压:0~7 V |
兼容型号:— |
失调电压:-8~8 mV/V |
存储温度范围:-50~150 ℃ |
封装形式:SOP8, DFN8L(3×3×0.75) |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作电流:33 μA |
敏度(mV/V/Oe):3.1 |
敏感方向:X轴 |
本底噪声:~10 nT/rt(Hz) @1Hz |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~10 |
灵敏度:3.1 mV/V/Oe |
灵敏度温度系数:-300 PPM/℃ |
电阻:30 kΩ |
电阻(kΩ):30 |
磁滞:0.5 Oe |
磁滞(Oe):0.5 |
磁阻结构:全桥 |
非线性度:1.5 %FS |
饱和场:±150 Oe |
饱和场(Oe):±150 |
查看更多