Dowaytech 多维科技大动态范围TMR线性传感器-型号-图片-传感器专家网

Dowaytech 多维科技

江苏多维科技有限公司（MultiDimension Technology Co., LTD. ,英文简称“MDT”，以下简称“多维科技”）创立于2010年，公司总部座落于江苏省苏州市张家港保税区，是一家专注于磁传感器（TMR/GMR/AMR）的制造商，在浙江宁波、深圳、四川成都、美国圣何塞、日本大阪分别设有分公司，销售网络遍布全球。多维科技拥有500余项专利，200多款磁传感器产品和先进的8英寸磁传感器量产晶圆产线，成熟的磁传感器晶圆制造工艺，可批量生产、供应高性能磁传感器芯片和模组产品，以满足客户多元化的应用需求。多维科技除了为客户提供成品磁传感器芯片外，还可以晶圆、裸片或封装器件的形式为客户提供磁传感器(TMR/GMR/AMR)，同时还可以为客户提供定制化的磁传感器设计、晶圆制造和测试服务。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术领域和工程技术服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下，多维科技致力于为广大客户提供高品质的磁传感器芯片和模组产品。主要产品磁传感器 • 芯片产品TMR磁开关传感器芯片、TMR角度传感器芯片、TMR线性磁场传感器芯片、TMR齿轮传感器芯片、AMR磁开关传感器芯片、AMR角度传感器芯片、AMR磁栅传感器芯片、AMR线性磁场传感器芯片、薄膜型温度传感器芯片磁传感器 • 模组产品TMR电流传感器、TMR齿轮编码器、AGV磁导航传感器、TMR低噪声线性磁传感器、USB磁强计、TMR线性位移传感器、TMR流量传感器、TMR磁特征/磁图像传感器、传感器演示套件应用领域工业控制、民用表计、消费电子、金融机具、物联网、汽车、生物与医疗

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Dowaytech 多维科技 TMR2102 大动态范围TMR线性传感器

交付周期:In stock	产品型号:TMR2102	供电电压:0～7 V
兼容型号:MMLP57F	失调电压:-20～20 mV/V	存储温度范围:-50～150 ℃
封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)	工作温度范围:-40～125 ℃	工作电流(DFN8):22 μA
工作电流(SOP8):11 μA	敏度（mV/V/Oe）:4.9	敏感方向:X轴
本底噪声:～10 nT/rt(Hz) @1Hz	本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:～10	灵敏度:4.9 mV/V/Oe
灵敏度温度系数:-1160 PPMC	电阻:90/45 kΩ	电阻温度系数:-820 PPM/℃
电阻（kΩ）:90/45	磁滞:0.1 Oe	磁滞范围:0.1～0.2 Oe
磁滞（Oe）:0.1	磁阻结构:全桥	非线性度:1 %FS
饱和场:±90 Oe	饱和场（Oe）:±90

Dowaytech 多维科技 TMR2103 大动态范围TMR线性传感器

交付周期:In stock	产品型号:TMR2103	供电电压:0～7 V
兼容型号:—	失调电压:-15~15 mV/V	失调电压温度系数:-640 PPMC
存储温度范围:-50~150 ℃	封装形式:SOP8 DFN8L(3×3×0.75)	工作温度范围:-40~125 ℃
工作电流:60 μA	敏度（mV/V/Oe）:6	敏感方向:X轴
本底噪声:～10 nT/rt(Hz) @1Hz	本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:～10	灵敏度:6 mV/V/Oe
灵敏度温度系数:-13 PPM/℃	电阻:50 kΩ	电阻（kΩ）:50
磁滞:0.3 Oe	磁滞（Oe）:0.3	磁阻结构:全桥
非线性度:0.5 %FS	饱和场:±75 Oe	饱和场（Oe）:±75

Dowaytech 多维科技 TMR2104 大动态范围TMR线性传感器

交付周期:In stock	产品型号:TMR2104	供电电压:0～7 V
兼容型号:—	失调电压:-8~8 mV/V	存储温度范围:-50~150 ℃
封装形式:SOP8, DFN8L(3×3×0.75)	工作温度范围:-40~125 ℃	工作电流:33 μA
敏度（mV/V/Oe）:3.1	敏感方向:X轴	本底噪声:～10 nT/rt(Hz) @1Hz
本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:～10	灵敏度:3.1 mV/V/Oe	灵敏度温度系数:-300 PPM/℃
电阻:30 kΩ	电阻（kΩ）:30	磁滞:0.5 Oe
磁滞（Oe）:0.5	磁阻结构:全桥	非线性度:1.5 %FS
饱和场:±150 Oe	饱和场（Oe）:±150

Dowaytech 多维科技 TMR2105 大动态范围TMR线性传感器

ESD性能:4000 V (HBM)	交付周期:In stock	产品型号:TMR2105
使用温度范围:-40 ~ 125 ℃	供电电压:0～7 V	兼容型号:—
失调电压:-10 ~ 10 mV/V	存储温度范围:-50 ~ 150 ℃	封装形式:LGA4（2×1.5×0.73 mm）
工作电流:16 μA	敏度（mV/V/Oe）:0.3	敏感方向:X轴
本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）:/	温度系数（灵敏度）:-300 PPM/℃	温度系数（电阻）:-600 PPM/℃
灵敏度:0.3 mV/V/Oe	电阻:60 kΩ	电阻（kΩ）:60
磁滞:1.5 Oe	磁滞（Oe）:1.5	磁阻结构:全桥
非线性度:0.1 %FS	饱和场:±1000 Oe	饱和场（Oe）:±1000

Dowaytech 多维科技 TMR2102 大动态范围TMR线性传感器

Dowaytech 多维科技 TMR2103 大动态范围TMR线性传感器

Dowaytech 多维科技 TMR2104 大动态范围TMR线性传感器

Dowaytech 多维科技 TMR2105 大动态范围TMR线性传感器

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