Dowaytech 多维科技 TMR2104 大动态范围TMR线性传感器
多维科技 大动态范围TMR线性传感器 TMR2104
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2025-11-19 22:41:07
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TMR2104
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产品概述
TMR2104采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2104性能优越，采用SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）、DFN8L(3mm × 3mm × 0.75mm)封装形式。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻(TMR)技术，实现高灵敏度和宽动态范围
- 具备优越的温度稳定性，适用于复杂环境
- 低功耗设计，适合电池供电或低功耗系统
- 差分输出结构，提高抗干扰能力
- 支持宽电压供电（0～7 V），适应多种应用场景
应用领域
- 磁力计
- 电流传感器
- 角度传感器
- 位置传感器
选型指南/使用建议
TMR2104适用于需要高灵敏度磁场检测的工业和消费类电子应用。建议在-40~125℃工作温度范围内使用，支持SOP8和DFN8L两种封装形式，便于集成到不同尺寸的系统中。使用时应确保供电电压在0～7 V范围内，并注意避免超过±150 Oe的饱和磁场。
TMR2104 大动态范围TMR线性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR2104 | |
| 供电电压 | 0～7 V | |
| 兼容型号 | — | |
| 失调电压 | -8~8 mV/V | |
| 存储温度范围 | -50~150 ℃ | |
| 封装形式 | SOP8, DFN8L(3×3×0.75) | |
| 工作温度范围 | -40~125 ℃ | |
| 工作电流 | 33 μA | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 3.1 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 本底噪声 | ～10 nT/rt(Hz) @1Hz | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～10 | |
| 灵敏度 | 3.1 mV/V/Oe | |
| 灵敏度温度系数 | -300 PPM/℃ | |
| 电阻 | 30 kΩ | |
| 电阻（kΩ） | 30 | |
| 磁滞 | 0.5 Oe | |
| 磁滞（Oe） | 0.5 | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 非线性度 | 1.5 %FS | |
| 饱和场 | ±150 Oe | |
| 饱和场（Oe） | ±150 |
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| index | 626.23 KB | 下载 |
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