Dowaytech 多维科技 TMR2102 大动态范围TMR线性传感器

多维科技大动态范围TMR线性传感器 TMR2102

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2025-11-19 22:30:27
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产品概述

TMR2102采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102性能优越,采用两种封装形式:SOP8 (6 mm × 5 mm × 1.5 mm) 和 DFN8 (3 mm × 3 mm × 0.75 mm)。

核心特点/优势

  • 采用隧道磁电阻(TMR)技术,实现高灵敏度和低磁滞
  • 宽动态范围,适用于多种磁场测量场景
  • 低功耗设计,适合电池供电系统
  • 优越的温度稳定性,适用于宽温环境
  • 兼容MMLP57F型号,便于系统集成
  • 支持差分输出,提高抗干扰能力

应用领域

  • 磁力计
  • 电流传感器
  • 工业流量计
  • 位置传感器
  • 角度传感器

选型指南/使用建议

TMR2102提供SOP8和DFN8两种封装形式,适用于不同空间需求的系统设计。建议在±90 Oe磁场范围内使用,以确保最佳线性度和灵敏度。工作电压范围为0~7 V,支持多种供电方案。使用时应避免超过1000 Oe的冲击磁场,以防止传感器饱和或损坏。推荐在-40~125 ℃温度范围内工作,存储温度范围为-50~150 ℃。

TMR2102 大动态范围TMR线性传感器选型参数

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交付周期 In stock
产品型号 TMR2102
供电电压 0~7 V
兼容型号 MMLP57F
失调电压 -20~20 mV/V
存储温度范围 -50~150 ℃
封装形式 SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
工作温度范围 -40~125 ℃
工作电流(DFN8) 22 μA
工作电流(SOP8) 11 μA
敏度(mV/V/Oe) 4.9
敏感方向 X轴
本底噪声 ~10 nT/rt(Hz) @1Hz
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~10
灵敏度 4.9 mV/V/Oe
灵敏度温度系数 -1160 PPMC
电阻 90/45 kΩ
电阻温度系数 -820 PPM/℃
电阻(kΩ) 90/45
磁滞 0.1 Oe
磁滞范围 0.1~0.2 Oe
磁滞(Oe) 0.1
磁阻结构 全桥
非线性度 1 %FS
饱和场 ±90 Oe
饱和场(Oe) ±90

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