Dowaytech 多维科技 TMR2102 大动态范围TMR线性传感器
多维科技大动态范围TMR线性传感器 TMR2102
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2025-11-19 22:30:27
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TMR2102
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产品概述
TMR2102采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102性能优越,采用两种封装形式:SOP8 (6 mm × 5 mm × 1.5 mm) 和 DFN8 (3 mm × 3 mm × 0.75 mm)。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻(TMR)技术,实现高灵敏度和低磁滞
- 宽动态范围,适用于多种磁场测量场景
- 低功耗设计,适合电池供电系统
- 优越的温度稳定性,适用于宽温环境
- 兼容MMLP57F型号,便于系统集成
- 支持差分输出,提高抗干扰能力
应用领域
- 磁力计
- 电流传感器
- 工业流量计
- 位置传感器
- 角度传感器
选型指南/使用建议
TMR2102提供SOP8和DFN8两种封装形式,适用于不同空间需求的系统设计。建议在±90 Oe磁场范围内使用,以确保最佳线性度和灵敏度。工作电压范围为0~7 V,支持多种供电方案。使用时应避免超过1000 Oe的冲击磁场,以防止传感器饱和或损坏。推荐在-40~125 ℃温度范围内工作,存储温度范围为-50~150 ℃。
TMR2102 大动态范围TMR线性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR2102 | |
| 供电电压 | 0~7 V | |
| 兼容型号 | MMLP57F | |
| 失调电压 | -20~20 mV/V | |
| 存储温度范围 | -50~150 ℃ | |
| 封装形式 | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) | |
| 工作温度范围 | -40~125 ℃ | |
| 工作电流(DFN8) | 22 μA | |
| 工作电流(SOP8) | 11 μA | |
| 敏度(mV/V/Oe) | 4.9 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 本底噪声 | ~10 nT/rt(Hz) @1Hz | |
| 本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | ~10 | |
| 灵敏度 | 4.9 mV/V/Oe | |
| 灵敏度温度系数 | -1160 PPMC | |
| 电阻 | 90/45 kΩ | |
| 电阻温度系数 | -820 PPM/℃ | |
| 电阻(kΩ) | 90/45 | |
| 磁滞 | 0.1 Oe | |
| 磁滞范围 | 0.1~0.2 Oe | |
| 磁滞(Oe) | 0.1 | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 非线性度 | 1 %FS | |
| 饱和场 | ±90 Oe | |
| 饱和场(Oe) | ±90 |
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TMR2102 大动态范围TMR线性传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
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| index | 694.25 KB | 下载 |
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