DS1245Y/AB：1024k 非易失性静态随机存取存储器（SRAM）
DS1245Y 和 DS1245AB 是基于 CMOS 技术的 1024k 非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM），集成了内部锂电池和控制电路，能够在无外部供电的情况下保留数据长达十年以上。该器件不仅替代了传统易失性 SRAM、EEPROM 或闪存，还支持无限次写入操作，适用于对数据持久性有高要求的工业控制、数据采集系统以及嵌入式平台。
核心特性
- 在无外部电源供电情况下，数据可保留至少 10 年
- 断电期间自动启用写保护，防止数据丢失
- 可作为 128k x 8 的静态 RAM、EEPROM 或闪存的替代方案
- 支持无限次写入操作
- 低功耗 CMOS 技术，适用于节能系统
- 读写访问时间均小于 70 纳秒
- 首次上电前锂电池处于断开状态，以保持其初始容量
- DS1245Y 支持 ±10% 的 VCC 电压范围
- DS1245AB 可选 ±5% 的 VCC 电压范围
- 可选工业温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于恶劣环境
- 采用标准 JEDEC 32 引脚 DIP 封装
- 提供 PowerCap 模块（PCM）封装选项
PowerCap 模块特性
- 支持表面贴装工艺，适用于高密度 PCB 设计
- 配备可更换的卡扣式备用锂电池，便于维护
- 所有非易失性 SRAM 产品采用统一引脚分配
- 模块顶部设有便于拆卸的结构设计，使用普通螺丝刀即可更换电池
引脚分配
该器件采用 32 引脚 DIP 封装，引脚长度为 740 密耳，适用于插件式安装。同时，34 引脚 PowerCap 模块支持表面贴装，便于集成在 SMT 线路中。
引脚功能说明
- A0 - A16：地址输入
- DQ0 - DQ7：数据输入/输出
- CE：芯片使能
- WE：写入使能
- OE：输出使能
- VCC：电源输入（+5V）
- GND：接地
- NC：未连接
器件描述
DS1245 是一款 1024k 非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM），以 8 位数据宽度组织为 131,072 个存储字。每个芯片集成了自包含的锂电池与电源控制电路，能够持续监测供电电压是否在容限范围内。一旦检测到电源异常，系统将自动启用备份电池并启动写保护，以保障数据完整性。
该器件既支持传统的 DIP 封装，也可选 PowerCap 模块封装。DIP 型号可直接替换现有 128k x 8 SRAM，兼容主流 32 引脚接口标准；而 PowerCap 模块则通常与 DS9034PC PowerCap 配合使用，组成完整的非易失性 SRAM 解决方案，无需额外支持电路。
读取操作
在写使能（WE）处于非激活状态（高电平）且芯片使能（CE）与输出使能（OE）为激活状态（低电平）时，DS1245 进入读取模式。地址输入（A0-A16）确定访问的地址位置，数据将在 tACC 时间内出现在数据输出端。若 OE 或 CE 的访问时间未满足，数据输出将从后激活信号开始计算，并受限于 tCO 或 tOE 参数。
写入操作
当地址输入稳定，并且写使能（WE）和芯片使能（CE）处于激活状态（低电平）时，写入操作开始。写操作由 WE 或 CE 的上升沿触发，结束于其中较早发生的信号。在写周期中，地址信号必须保持稳定，OE 信号应保持无效（高电平），以防止总线冲突。如果 OE 被激活，输出将在 tODW 内被禁用，以避免数据写入与输出驱动器同时工作。
数据保留机制
DS1245AB 在 VCC 高于 4.75V 时可正常运行，并在 4.5V 时启用写保护。DS1245Y 在 VCC 高于 4.5V 时可正常运行，4.25V 时启动写保护。当供电电压下降至约 3.0V 以下时，电源切换电路会自动将锂电池接入系统以维持数据完整性。一旦 VCC 上升至 3.0V 以上，外部供电将取代锂电池继续为系统供电。
新鲜度封条机制
在出厂时，DS1245 内部电池默认处于断开状态，以保证其长期储存性能。当首次施加的 VCC 超过 4.25V 时，电池电源被激活，进入备份运行模式。
封装与模块配置
DS1245 提供两种封装形式：32 引脚 DIP 封装和 34 引脚 PowerCap 模块。DIP 封装整合了 SRAM、控制电路和内置锂电池，符合 JEDEC 标准尺寸。PowerCap 模块则将 SRAM 与控制电路集成，并通过触点连接 DS9034PC PowerCap 中的锂电池，支持无损回流焊工艺。此模块化设计允许在不破坏焊接连接的情况下更换电池，提升了系统的维护便利性。
典型时序图