SK海力士拟引入台积电3nm工艺提升HBM4E性能
随着数据中心对高带宽内存（HBM）需求的持续增长，三星在该领域的曝光度显著提升。然而，从市场份额来看，SK海力士依然是HBM市场的主导者。据数据显示，2023年第三季度，SK海力士的HBM产品在全球市场中占据57%的营收份额，远超三星的22%与美光的21%。
尽管市场地位稳固，SK海力士在HBM4的性能表现上却略逊于三星，这在行业评价中形成了一定压力。为扭转这一局面，SK海力士正计划在下一代HBM4E产品中重点优化性能参数，力求在竞争中重新占据优势。
SK海力士在CES 2026上展示的HBM4产品
据韩国《朝鲜日报》报道，SK海力士正在评估采用台积电3nm工艺来制造HBM4E的逻辑芯片。目前，其供应给英伟达的HBM4产品采用的是10nm级第五代（1b）DRAM核心芯片与基于台积电12nm工艺的逻辑芯片，而三星则使用了10nm级第六代（1c）DRAM核心芯片和4nm逻辑工艺。从制程层面来看，三星的HBM4在性能指标上更胜一筹，并率先实现HBM4的量产与交付，抢占了行业先机。
在HBM4产品线中，SK海力士是英伟达最大的供货商之一。行业分析人士指出，SK海力士目前在英伟达HBM订单中占据至少三分之二的份额，领先于三星。不过，为满足批量交付需求，SK海力士在生产过程中更强调稳定性和良率控制。面对当前技术差距，公司已着手通过更先进的制程技术提升产品性能。
业内观点认为，在当前“定制化HBM”趋势下，终端客户会根据自身需求选择不同工艺的逻辑芯片。因此，无论是12nm还是3nm制程，都有可能被纳入考虑范围。考虑到英伟达下一代高端AI芯片“Vera Rubin Ultra”很可能采用更先进的HBM4E，SK海力士若想维持订单份额，3nm工艺将成为关键选项。
三星已在英伟达GTC 2026大会上展示其HBM4E产品，此举无疑为SK海力士带来更大紧迫感。在高性能计算和AI算力需求持续攀升的背景下，如何在制程与性能之间取得平衡，将决定其在HBM市场中的长期竞争力。