三星电子推进HBM5研发，2nm工艺应用于基础芯片
据韩国媒体报道，三星电子正开展第八代高带宽内存（HBM5）的研发工作。消息称，该产品的核心芯片将沿用第六代10纳米工艺（1c），而基础芯片（Base die）则将采用更为先进的2nm工艺。
这一研发路径延续了第六代HBM4所采用的1c工艺设计思路，同时在基础芯片层级引入了更高性能的2nm制程，以提升整体堆叠结构的能效与性能表现。
针对下一代HBM5E的开发，三星则计划进一步升级，将核心芯片的制程推进至第七代10纳米工艺（1D）制造的DRAM，基础芯片依旧采用其2nm代工技术，以强化产品在高密度运算与先进封装应用中的竞争力。