10月23日消息，中国台湾晶圆代工企业联华电子宣布推出55nm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 工艺平台。
据悉，联电的55nm BCD平台包含非外延/磊晶 (Non-EPI)、外延/磊晶 (EPI)、绝缘层上硅 (SOI) 三类制程，同时整合了UTM超厚金属层、eFLASH嵌入式闪存、RRAM忆阻器等技术。
这一特色制程能在单一芯片上集成模拟、数字与电力元件，广泛应用于电源管理与混合信号集成电路，可提升移动设备、消费电子、汽车工业应用产品的能效表现。
（JSSIA整理）
10月23日消息，中国台湾晶圆代工企业联华电子宣布推出55nm BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 工艺平台。
据悉，联电的55nm BCD平台包含非外延/磊晶 (Non-EPI)、外延/磊晶 (EPI)、绝缘层上硅 (SOI) 三类制程，同时整合了UTM超厚金属层、eFLASH嵌入式闪存、RRAM忆阻器等技术。
这一特色制程能在单一芯片上集成模拟、数字与电力元件，广泛应用于电源管理与混合信号集成电路，可提升移动设备、消费电子、汽车工业应用产品的能效表现。
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