光电二极管常见参数名词解析

光电二极管常见参数名词解析

01 Spectral Sensitivity 感光波长

光电二极管常使用硅(Si)作为材料,感光光谱范围可从近紫外的350nm到近红外的1100nm。一般硅材料的光电二极管峰值感光波长在 800nm~1000nm 的近红外区域中。有些光电二极管使用黑色的环氧树脂作为封装材料,可以滤除可见光部分的光谱响应,感光波长向近红外集中。


02 ID 暗电流

在无光照射的情况下,光电二极管外加反向偏置电压时会流过一个很小的反向电流,称为光电二极管的暗电流。光电二极管的暗电流与所加的反向电压和芯片的感光面积成正相关。


03 ISC 短路电流

有光照射时,如果把光电二极管的两端短路,入射光产生的电荷就会通过外部回路进行定向流动,因此产生的电流称为短路电流。短路电流与芯片感光面积成正比,面积较小时,由于有边缘效应,其比例系数比大面积时要大,另外,由于禁带宽度随温度会变化,随之感光度特性也相应的变化。


04 VOC 开路电压

有光照射时,如果光电二极管的两端开路,入射光产生的正负电荷累积在PN结之间,因此产生的电势差称为光电二极管的开路电压。开路电压正比于入射光强的对数,一般情况下,开路电压与光敏面积无关。


05 VF 正向导通电压

二极管正向偏置时,只有当电压超过某一数值后才有明显的正向电流,该电压值称为导通电压,用VF表示。


06 IF 正向导通电流

二极管正向偏置时,只有当电压超过某一数值后才有明显的正向电流,该电流值称为导通电流,用IF表示。对某一特定的光电二极管,VF值和IF值一一对应。


07 BVR 反向击穿电压

二极管反向偏置时,在一定范围内的反向电压下电流很小,当反向电压超过一定值时,暗电流会急速变大,这种现象称为击穿。击穿现象一般不会对器件造成物理损坏,但如果击穿时流过过大的电流,有时会造成芯片局部损坏,故实际使用时,反向偏置电压不要超过击穿电压值。


08 tr, tf 响应速度

响应速度是指受光后产生光电流的快慢,通常用上升时间(tr)和下降时间(tf)来表示。响应速度主要取决于电容与负载电阻组成的 RC 时间常数以及芯片内载流子的漂移时间和扩散时间的影响,通过减少分布电容和负载电阻以及抑制扩散电流,可以提高响应速度。使用时可以采用加反向偏置电压的方法提高响应速度。


分享:

查看全文

相关媒介

针对性更强,满足行业在实际应用的各种专业化的需求,传感器专家网为您提供方便快捷的传感器产品及相关资讯垂直搜索服务。

参与评论已发布评论0

0/500

发表评论

评论区

加载更多