“高德红外研制的百万像素中波/中波双色二类超晶格制冷红外探测器代表了红外成像技术尖端水平，打破少数国外企业的技术垄断，为我国特色红外技术产业提供坚实的科技支撑，满足我国对于高端制冷红外探测器的需求。”在今年两会期间，全国政协委员、高德红外董事长黄立向媒体发布了公司最新取得的成果。而这一成果，也和他此次的提案相关，即在国家促进集成电路产业高质量发展政策方面，应突出特殊半导体的战略地位，针对不同的特殊半导体给予不同的线宽政策。
特殊半导体是多学科高技术聚合物
集成电路是信息社会的基石，也是信息技术的重要基础。芯片产业的高质量发展，关系到现代信息产业和产业链发展。近年来，中国集成电路产业发展取得了骄人成绩，产业规模不断增长。据中国半导体行业测算，2020年我国集成电路销售收入达到8848亿元，增长率为同期全球产业增速的3倍。技术创新上也不断取得突破，在制造工艺、封装技术、关键设备材料都有明显大幅提升。
黄立表示，相对于硅基集成电路的逻辑运算，特殊半导体作为与外界环境交互的重要手段和感知信息的主要来源，已成为决定未来数字通信、传感互联、人工智能产业发展的核心与“卡脖子”的关键技术。他指出，特殊半导体是多学科的高技术聚合物，涵盖了化合物半导体、功率半导体、传感器件和微机电器件，具有信息采集、信息处理、信息交换、信息存储等多元化功能。
黄立认为，党的十八大以来，党中央把握住历史契机，出台了一系列半导体产业扶持政策，在加快我国集成电路技术创新，推动集成电路产业进步方面取得了长足发展。特别是去年8月国务院印发的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》更是为国内集成电路产业快速发展推波助澜。“然而，特殊半导体未能充分享受到集成电路产业的相关政策支持。”黄立表示。
特殊半导体产业目前面临三大挑战
特殊半导体的制造工艺和制造条件要求极高，和集成电路有一定的相似度，但更加侧重于工艺的特殊性和复杂性。黄立表示，目前产业水平低的主要问题有以下几点，首先，核心特殊半导体产品品种数较多，国内仅能生产其中的约1/3，整体技术含量也较低。同时，核心功能性器件市场需求量上万亿元，且逐年上升，每年进口额数千亿元，包括汽车电子或科学仪器等高端特殊半导体95%以上市场份额都掌握在外资企业手里。
其次，核心特殊半导体器件生产制造工艺流程繁琐复杂、产业链较长，企业规模偏小，人才集聚和培养难度大，上下游协同门槛高、成本高，产业发展尚未形成合力。
最后，特殊半导体涉及的技术领域众多、工序复杂。特殊半导体对于光刻线宽的要求相对较低，但是对于工艺、材料的控制更加复杂，被称为“工业艺术品”。例如MEMS传感器，学科涉及电子、机械、材料、制造、物理、化学和生物等多种学科，并集约了当今科学技术发展的许多尖端成果;设计与传统IC行业注重二维静止的电路设计不同，以理论力学为基础，结合电路知识设计三维动态产品;工艺包含更多非标准的定向工艺步骤，如体硅工艺、背面工艺、高温工艺、高深宽比蚀刻等;材料往往会涉及特殊材料，如相变材料、磁致伸缩材料、记忆合金材料等。
针对不同特殊半导体给予不同线宽政策
针对特殊半导体的“特殊性”，黄立提出如下建议：
第一，在国家促进集成电路产业高质量发展政策，应突出特殊半导体的战略地位，针对不同的特殊半导体给予不同的线宽政策。如化合物半导体类和MEMS微机电类，线宽小于0.25微米的企业。给予该类企业所得税最高“十免”优惠政策——鼓励符合条件的特殊半导体生产企业或项目，第一年至第十年免征企业所得税。
第二，加快核心技术攻关，针对材料体系和特殊工艺给予相应的配套政策，如针对非硅基的III-V、II-VI化合物半导体，及相关的多元材料外延工艺，给予专项扶持、市场准入、人才认定等持续支持，以弥补产业技术短板与政策缺失，实现传感器产业高质量发展。
第三，培育产业发展新动能。聚焦特殊半导体的工艺复杂性，从产业链出发，加强国产替代。发展壮大细分领域的龙头企业，分类培育产业链相关的高端配套骨干企业，形成融通发展的良好局面。
此外，黄立还针对加大知识产权保护力度给出了建议，他表示，国家应进一步完善以知识产权、商业秘密保护为核心的法律法规和运行机制;开展打击侵犯知识产权、商业秘密专项行动;加大对侵犯商业秘密的企业和劳动者的处罚力度以及加大对知识产权保护的宣传力度。