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磷化铟晶圆

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严选磷化铟晶圆厂家，提供从磷化铟晶圆设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。

CyOptics / Broadcom

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用于宽带网络的光学元件Broadcom 是基于磷化铟 (InP) 的光学元件的全球技术领导者。长距离 InP DIE 组件Broadcom 经营着世界领先的磷化铟制造工厂之一，拥有从外延生长到晶圆和芯片制造的全面内部制造能力，以及世界一流的设计能力。微光学Broadcom 利用经过验证的设计和内部晶圆级制造历史来实现跨行业的创新无源光学解决方案。
Scintil Photonics

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其解决方案将硅（Si）和磷化铟（InP）光子学的精华与硅上III-V族芯片到晶圆的键合相结合，并利用商业半导体代工厂大规模生产其增强型硅光子集成电路（PIC）。
Advanced-Microsemi 新微半导体

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作为先进的化合物半导体晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，专注于为功率和光电两大应用领域的客户提供多元化的晶圆代工及配套服务，生产的芯片可广泛应用于通信、新能源、消费电子、汽车、工业和生物医疗等终端应用领域解决方案业务领域概述作为先进的集成电路化合物晶圆代工企业，新微半导体拥有一流的工艺制程和特色解决方案，为广大客户提供3/4/6吋基于氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）与磷化铟（InP）材料的一站式化合物半导体晶圆代工服务应用场景电子消费、工业电源、新能源汽车、光伏光电解决方案在光电领域，新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，为广大客户提供覆盖各波段的边发射激光器光电探测器(PD)工艺平台新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）和4吋砷化镓（GaAs）材料体系的PD艺平台，包含可实现光敏面直径至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD两大工艺平台边发射激光器（FP/DFB）工艺平台新微半导体提供基于3/4吋磷化铟（InP）材料体系的、中心波长覆盖600nm-2100nm的FP/DFB工艺平台，包括最大功率可达50W的FP工艺平台和2.5G/10G
MantiSpectra

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在荷兰 MantiSpectra BV，我们相信在晶圆级集成光谱学将开辟新的应用领域，其中体积、坚固性和易于集成是关键。该公司的技术采用磷化铟（InP）晶圆制造，可提供波长延伸至1700 nm的红外光谱，旨在取代传统的台式光谱仪，从而在几乎任何地方实现紧凑、便携且经济高效的材料分析。
HXM 华芯微电子

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项目规划用地面积59.3亩，建筑面积73,978平方米，已于2024年1月全面封顶，2024年7月洁净室建成及设备机台进场，11月产出第一片高功率高效能砷化镓射频6寸晶圆，预计于2025年上半年进入大规模量产阶段公司专注于射频化合物半导体晶圆代工业务，面向手机、WiFi路由器、基站、卫星通讯、雷达应用等高、中、低频射频应用终端市场，涵括物联网、车联网、移动穿戴装置、光通讯、光传感装置等应用场景，皆为未来主流的新兴产业珠海华芯微电子汇聚了专业团队，致力于解决射频晶圆代工卡脖子的问题，期许在未来几年内推出高品质、高良率的制程技术，全力协助国内企业实现百分之百国产化制造。 III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。

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