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严选3D闪存厂家，提供从3D闪存设计、研发、生产制造深耕产品，打造值得信赖的传感器品牌，解决选品、技术支持问题，实现采购放心、售后无忧。

Yangtze Memory 长江存储

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长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。致力于成为存储技术的领先者全球半导体产业的核心价值贡献者2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。 * 发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度指1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070
Unimos 宏茂微

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宏茂微拥有全系列存储器封测的一站式解决方案，产品覆盖3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存储器产品的封装和测试。宏茂微母公司长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。
Normem 诺存微电子

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诺存是全球最早提出3D NOR闪存架构的IC设计公司之一，并已研发成功世界首款3D NOR闪存原型芯片，成本仅为传统平面NOR的1/3，价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的代码运行功能；产品可广泛应用于安防诺存致力于新型高速、高密度NOR闪存芯片的研发，是美光主推高速NOR标准的XccelaTM联盟成员，并于2018年成功推出国内首款高速Octa-SPI含DTR功能的产品，不断提升NOR闪存性能，推动下一代 NOR闪存发展；ExpresNORTM 高速NOR闪存系列产品兼具并行NOR高速、低延迟和串行NOR引脚少的优势，实现最快的代码执行和映射，同时也简化了系统设计、降低系统成本和功耗；2021年NOR闪存芯片出货数千万颗中期产品：高速高密度, 3D原型芯片研发成功，实现单层成本仅为传统NOR 1/3传统NOR闪存的二维设计已经接近物理上的极限，产品可靠性降低、成本攀升，三维化是技术变革趋势。公司的世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片兼具传统NOR和NAND两者的优势，大幅降低单位制造成本，使价位可与NAND竞争，同时还保持NOR的代码运行功能，低成本高性能。
Kioxia 铠侠

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铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。其零售产品覆盖存储卡、闪存盘及固态硬盘等各类闪存产品，旨在让终端用户可以再随时随地存储其数字生活。产品与技术铠侠通过我们在闪存和 SSD 领域的技术领先地位，以及我们广泛的产品组合来满足客户需求。存储器闪存现在应用于各种电子产品，例如智能手机及多种存储产品，包括 USB 闪存盘和SSD 等。我们将继续通过提供 3D 闪存 BiCS FLASH 技术来满足客户的需求，从而提供更大的存储容量和广泛的闪存产品。 SSD (固态硬盘)铠侠的固态硬盘（SSD）产品系列内置BiCS FLASH™ 3D闪存，能为客户端PC、企业级服务器以及存储与云数据中心提供了更为优化的SSD产品与解决方案。
Core Storage 兆芯电子

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合肥兆芯电子有限公司 2015年6月成立于安徽省合肥市高新区，主要从事闪存控器与相关、eMMC、SSD固态磁盘等控制芯片与整机系统的设计研发和销售。 2016年11月，发布支持2D NAND SSD方案；2017年7月，发布支持3D NAND eMMC方案和支持3D NAND SATA SSD方案。杰出的经营策略构成了具竞争力的条件。
PreAct Technologies

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是近场软件可定义闪存 LiDAR 技术和集成 SDK（软件开发套件）领域的市场领导者。 PreAct 的边缘处理算法具有无与伦比的质量和精度，可驱动技术，生成小物体的 3D 深度图，精度可达亚厘米级，最高可达 20 米。传感器 - Sahara™、Borrego™ 和 Moab™，以解决各种问题跨多个行业的用例，包括农业、医疗保健、智能城市、零售、安全、交通、教育或任何需要详细 3D
SSSTC （Solid State Storage Technology Corporation）

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SSSTC 的产品线包括 3D TLC 和 MLCC NAND 闪存组件，为世界级网络附加存储 (NAS) 系统、VoIP 媒体网关、自助服务亭、工业自动导引车 (AGV) 路由器、工业 PC、交换机、该制造商的 CA3 系列 NVMe PCIe SSD 体现了其在数字存储空间开辟新天地的承诺。高性能组件提供每秒高达 380K/260K 输入/输出操作的 4KB 随机读/写性能。此外，SSSTC 创造了 CA3 系列，并将设计通用性作为优先事项。该产品有 250GB、512GB 和 1TB 系列可供选择，外形尺寸为 80mm x 22mm x 3.65mm，线速为 10GB。这些特性使 CA3 SSD 适合在线事务处理、SQL 日志记录和企业服务器项目。主要产品固态硬盘闪存 – NAND / NORmSATA
Unim 至讯创新

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产品方案SLC NAND消费级产品产品简介：目前国内最先进2D NAND制程，提供业界最佳成本竞争力，凭借其卓越的成本优势，在满足应用需求条件下帮助客人完成降本增效。广泛应用于各类消费品中，如：儿童手表，功能机，手环，各类智能家电，路由器等与NOR闪存相比，在成本接近的情况下提供4~8倍存储空间，可以满足更大的数据和系统容量需求，支持更复杂的应用。广泛应用于各类行业及工业类应用，如：视频监控，基站，运动手表，光猫，路由器，机顶盒等与NOR闪存相比，工业级SLC NAND在保证同等可靠性性能条件下提供4~8倍存储空间，可以满足客户同等可靠性条件下更大的存储空间不仅如此，与3D闪存相比，2D MLC NAND在中小容量产品上更有可靠性竞争力，可以为设计带来显著的可靠性优势。容量： 4GB/8GB接口：ONFI工作电压：3.3V可靠性：数据保持时间10年，编程/擦除周期：3,000次工作温度范围：-40℃~85℃封装：BGA132 （12*18mm）嵌入式解决方案其他解决方案
Rayson 晶存科技

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深圳市晶存科技股份有限公司 (简称晶存) 成立于2016年，是一家集设计、研发、测试和销售于一体的存储芯片国家高新技术企业，晶存子公司妙存科技拥有闪存控制器芯片研发能力及固件开发能力，是国家级专精特新“ 小巨人”企业晶存具备完整的存储解决方案能力，产品涵盖NAND FLASH控制器芯片eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X、eMCP、SSD、内存模组等，覆盖消费级、工规级、车规级存储芯片主要产品闪存控制器自主研发eMMC闪存控制器，其具备高性能、高稳定性、低功耗等特性，符合JEDECeMMC V5.1标准协议并向下兼容，支持各种主流 2D/3D SLC/MLC/TLC NAND Flash ，搭载该自研闪存控制器的eMMC产品已通过AEC-Q100车规级存储器认证，消费级嵌入式存储晶存具备完整的存储解决方案能力，推出的消费级嵌入式存储系列芯片涵盖 eMMC、DDR3/4、LPDDR4/4X SSD固态硬盘SSD(固态硬盘)采用NAND闪存，无机械部件，具低功耗、高速读写及卓越耐用性。晶存自产SSD，以最新3D NAND技术，保障产品性能领先，提升竞争力和市场响应速度。
Samsung Semiconductor 三星半导体

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从艰难起步到全球半导体巨擘，我们一直秉持着对创新的不懈追求1975 开始为发光二极管 (LED) 手表大量生产集成电路 (IC)1988 开发 4Mb DRAM1998 开始发布业界先进的 128Mb 闪存最近突破极限，改变未来我们不断突破极限，推动行业变革，现已蓄势待发，准备实现下一次的飞跃2010 32nm高介电金属闸极(HKMG: High-K Metal Gate)工艺研发成功；20nm级NAND闪存量产；2011 30纳米级4Gb移动DRAM量产;推出品牌应用处理器Exynos;2013 3D垂直NAND(V-NAND)存储器开始量产；推出移动 AP Exynos 5 Octa，内置big.LITTLE DRAM，固态硬盘，嵌入式存储，CXL 存储器，多制层封装芯片，处理器，图像传感器，显示芯片，安全解决方案，电源管理芯片，LED，显示消费级存储产品SSD 固态硬盘，PSSD 移动固态硬盘，存储卡，USB 闪存盘

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