电容:25 pF |
暗电流:3 (≤ 200) nA |
发射波长:950 nm |
正向电压:1.25 (≤ 1.65) V |
集电极电流:20 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
反向电流:0.01 (≤ 1) μA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Detection Range:0.197inch(5mm) |
Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
发射波长:950 nm |
集电极电流:10 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Detection Range:0.197inch(5mm) |
Measurement Method:反射 |
集电极电流:20 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Measurement Method:反射 |
电容:25 pF |
暗电流:5 (≤ 50) nA |
发射波长:950 nm |
正向电压:1.25 (≤ 1.65) V |
集电极电流:10 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
反向电流:0.01 (≤ 1) μA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Maximum Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Measurement Method:反射 |
集电极电流:10 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
电容:25 pF |
暗电流:5 (≤ 50) nA |
发射波长:950 nm |
正向电压:1.25 (≤ 1.65) V |
集电极电流:10 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
光电流:1 mA |
反向电流:0.01 (≤ 1) μA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage:150 (<600) mV |
集电极电流:10 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Measurement Method:反射 |
接触电阻:≤500mΩ |
介电耐压:≥100Vac |
绝缘电阻:≥100MΩ |
防护等级:IP 5X |
传感器类型:操纵杆 |
Number of Operating Axes:单轴 |
Storage Temperature Range:-40~+85°C |
XY-Axis Operating Force:0.35N (±0.10N) 或 0.55N (±0.15N) |
XY-Axis Stroke:±1.00mm (±10%) |
Z-Axis Operating Force:1.80N (±15%) |
Z-Axis Stroke:0.22mm (±0.05mm) |
集电极电流:20 mA |
正向电流:50 mA |
安装方式:表面贴装型 |
Collector-Emitter Breakdown Voltage:30 V |
Measurement Method:反射 |
最大转换时间:450μs |
最大工作电流:10mA |
机械寿命:超过100万次 |
分辨率:8位 |
传感器类型:操纵杆 |
最大唤醒时间:320ms |
Directional Operating Force:0.70N(±0.15N) |
Maximum Idle Mode Current:3μA |
Maximum Lateral Magnetic Movement Radius:2.0mm |
Maximum Low Power Mode Current:10μA |
Maximum Storage Temperature:85°C |
Minimum Storage Temperature:-40°C |
Push Operating Force:1.80N(±15%) |
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