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成光兴光电

深圳成光兴光电技术股份有限公司是专业从事LED红外器件及应用产品研发、制造和销售为一体的高新技术企业，是红外器件封装产品领域的企业，2015年已成功在“新三板”上市，股票代码：832460。成光兴立足于LED红外发射和接收器件领域，致力于LED光电器件的研发与制造，产品广泛应用于安防监控、光学传感和触控等产品市场。我司已通过ISO:9001质量管理体系认证和ISO:14001环境管理体系认证。成光兴拥有自主核心技术和可持续研发能力，已获得“高新技术企业”证书，被评为“2012年度龙华新区民营企业50强”，2013年获深圳市LED产业标准联盟颁发“核心会员单位”证书,2014年度龙华新区自主创新100强企业，2016年度深圳市龙华新区中小微创新百强企业荣誉，企业拥有多项国内外专利。“敬业、诚信、创新、笃行”的成光兴，以成为具有综合竞争力的全系列红外光电器件供应商为目标，以市场需求为导向，创新产品满足客户需求，秉持与具有实力和巨大发展潜力的公司战略合作并共同发展的理念，为广大国内外LED应用产品制造企业打造优质产品。

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成光兴光电 CRM-383YM 其它

产品特性（Features）：高性能长寿命、高可靠性高发射功率、绝缘性好产品应用（Product Application）：适用于家电类的红外遥控器适用于各类仪器的控制发射适用于各种光电开关、触摸屏电路中

成光兴光电 CPD-85A1C 其它

上升/下降时间:50/50 ns	光谱响应范围:730-1030 nm	典型光敏电流:22 μA
反向击穿电压:30 V	存储温度范围:-40℃ to +100℃	工作温度范围:-25℃ to +85℃
开路电压:350 mV	总电容:25 pF	截止波长:940 nm
最大功耗:150 mW	最大暗电流:30 nA

成光兴光电 CPD-86416 其它

产品特性(Features)：高性能低驱动电压高光谱灵敏度抗外界光干扰强可匹配可见光及近红外光产品使用产品应用(Product application): 适用于各类光电转换的自控仪器适用于各类红外接收设备仪器适用于各种红外线触摸屏
成光兴光电 CPT-56 其它

产品特性(Features）：高性能低成本无需基极连接高光谱灵敏度可匹配可见光及近红外光产品使用产品应用（Product Application）：适用于各类光电转换的自控仪器适用于各类红外接收设备仪器适用于各种红外线触摸屏

成光兴光电 PDIC-3528A5-D3 其它

供电电压范围:2.5~12 V	光敏电流（10lux）:1.5~4.5 μA	响应波长范围:400~700 nm
尺寸:3.52.81.9 mm	接收角度:120°	暗电流@25℃:20 nA
暗电流@85℃:50 nA

成光兴光电 PDIC-3PLC1B-C12 其它

产品特性（Features）：高性能长寿命、高可靠性高发射功率、绝缘性好产品应用（Product Application）：适用于家电类的红外遥控器适用于各类仪器的控制发射适用于各种光电开关、触摸屏电路中
成光兴光电 PDIC-5PLC103 其它

产品特性（Features）：高性能长寿命、高可靠性高发射功率、绝缘性好产品应用（Product Application）：适用于家电类的红外遥控器适用于各类仪器的控制发射适用于各种光电开关、触摸屏电路中

成光兴光电 5050系列其它

产品型号:CGX-5050IRPC/3D14A120	发光角度:120°	回流焊温度最大值:220℃ for ≤10 seconds
外形尺寸:5.245.01.0 mm	存储温度范围:-40℃ to +100℃	峰值波长:850 nm
工作温度范围:-40℃ to +85℃	最大功率耗散:800 mW	最大反向电压:5 V
最大峰值正向电流:1.0 A	最大连续正向电流:160 mA	正向电压典型值:1.5*3 V
正向电压最大值:1.8*3 V	辐射强度典型值:9.0 mW/sr	辐射强度最小值:6.0 mW/sr

成光兴光电 CPD-75A1C 其它

上升时间:50 nsec	下降时间:50 nsec	光电流:8 to 18 μA
反向击穿电压:30 V	反向暗电流:30 nA	存储温度范围:-40℃ to +100℃
工作温度范围:-25℃ to +85℃	开路电压:350 mV	引线焊接温度:260℃ for 5 seconds
总电容:25 pF	最大功耗:150 mW

成光兴光电接收管其它

上升/下降时间:30 ns	光敏电流:0.6 μA	光谱灵敏度:高
反向击穿电压:30 V	反向暗电流:30 nA	发光功率:强
受光角度:80°	回流焊温度:260℃ for 5 seconds	存储温度范围:-40℃ to +100℃
封装尺寸:5.03.67.0 mm	峰值波长:940 nm	工作温度范围:-25℃ to +85℃
开路电压:350 mV	总电容:25 pF	最大功耗:150 mW

成光兴光电 K1系列红外灯（120度）其它

使用寿命:长寿命	封装形式:K1封装	应用领域:安防监控
热阻特性:低热阻	焊接工艺:可回流焊	环保标准:符合RoHS要求

成光兴光电 φ3光敏IC 其它

供电电压范围:-0.3 to 10 V	光谱响应范围:400-750 nm	典型输出电流（10LUX）:2.5 μA
可用光照范围:750-1000 Lux	型号:PDIC-3PLC1B-C12	存储温度范围:-40°C to +100°C
尺寸:φ3.0 mm	峰值光谱响应波长:520 nm	工作温度范围:-40°C to +85°C
敏感面积:0.054 mm²	暗电流温度系数:每升高10°C，暗电流翻倍	最大暗电流（25°C）:15 nA
最大输出电流（10LUX）:5 μA

成光兴光电 IRM接收头其它

中心频率:38 KHz	低电平脉冲宽度:400~800 μs	低电平输出电压:0.2~0.4 V
典型工作电流:0.4~1.5 mA	响应波长:940 nm	存储温度范围:-25~+85 ℃
封装尺寸（以CRM-383VG1-33为例）:φ4.676.955.1 mm	工作温度范围:-20~+80 ℃	工作电压:2.7~5.5 V
最大接收距离:15 m	水平半角:±45°	高电平脉冲宽度:400~800 μs
高电平输出电压:2.8~3.0 V

成光兴光电 IRM接收头其它

中心频率:38 kHz	低电平脉冲宽度:400~800 μs	低电平输出电压:0.2~0.4 V
典型工作电流:0.8~2.0 mA	发射器与探测器距离:12 m	响应波长:940 nm
存储温度范围:-25~+85 ℃	封装尺寸:5.856.8~6.855.1 mm	工作温度范围:-20~+80 ℃
工作电压:2.7~5.5 V	水平半角:±45°	高电平脉冲宽度:400~800 μs
高电平输出电压:2.8~3.0 V

成光兴光电光电开关其它

发射极-集电极最大电压:5V	响应时间:15μs	峰值波长:940nm
工作温度范围:-40~+85℃	暗电流:100nA	最大功耗:75mW
最大反向电压:5V	最大正向电流:50mA	正向电压:1.2~1.5V
视场角:30°	集电极-发射极最大电压:30V	集电极最大电流:20mA
集电极饱和电压:0.4V

成光兴光电 IRM接收头其它

低电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs	低电平输出电压:0.2 ~ 0.4 V	供电电压:2.7 ~ 5.5 V
半角:±45°	发射器与探测器间距（0°）:12.0 m	发射器与探测器间距（45°）:6.0 m
响应波长:940 nm	存储温度:-25 ~ +85 ℃	工作温度:-25 ~ +85 ℃
带通中心频率:38 kHz	焊接温度:260 ℃	电流消耗:0.3 ~ 0.8 mA
输出形式:低电平输出	高电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs	高电平输出电压:2.8 ~ 3.2 V

成光兴光电 IRM接收头其它

低电平脉冲宽度:400~800 μs	低电平输出电压:0.2~0.4 V	供电电压:2.7~5.5 V
半角:±45°	发射器与探测器间距:15 m	响应波长:940 nm
存储温度范围:-25~+85 ℃	工作温度范围:-20~+80 ℃	工作电流:0.4~1.5 mA
带通中心频率:38 kHz	焊接温度:260 ℃（最大5秒）	输出形式:低电平输出
高电平脉冲宽度:400~800 μs	高电平输出电压:2.8~3.0 V

成光兴光电 CPD-85H1C 其它

上升时间:30 nsec	下降时间:30 nsec	光电流:9.5 to 20 uA
反向击穿电压:30 V	反向暗电流:30 nA	存储温度范围:-40℃ to +100℃
工作温度范围:-25℃ to +85℃	开路电压:350 mV	引线焊接温度:260℃ for 5 seconds
总电容:25 pF	最大功耗:150 mW

成光兴光电 IRM接收头其它

中心频率:38 kHz	低电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs	低电平输出电压:0.2 ~ 0.4 V
供电电压:2.7 ~ 5.5 V	半角范围:±45°	发射器与探测器间距（0°）:12.0 m
发射器与探测器间距（45°）:6.0 m	响应波长:940 nm	存储温度范围:-25 ~ +85 ℃
工作温度范围:-25 ~ +85 ℃	最大焊接时间:5 s	最大焊接温度:260 ℃
电流消耗:0.3 ~ 0.8 mA	输出形式:低电平输出	高电平脉冲宽度:400 ~ 800 μs
高电平输出电压:2.8 ~ 3.2 V

成光兴光电 φ5食人鱼红外灯其它

光谱半宽:40nm	反向电压:5V	反向电流:≤10μA
发光角度:60°	发射功率:150mW	存储温度范围:-25℃ to +85℃
峰值波长:850nm	工作温度范围:-25℃ to +70℃	最大正向脉冲电流:400mA
正向电压:1.40~1.65V	辐射强度:20~30mW/sr	连续正向电流:100mA

成光兴光电接收管其它

光谱响应范围:760-1100 nm	典型上升/下降时间:15 μs	典型工作温度范围:-25℃ to +80 ℃
峰值波长:940 nm	最大功耗:75 mW	最大发射极-集电极电压:5 V
最大集电极-发射极电压:30 V	最大集电极电流:20 mA	最小暗电流:100 nA

成光兴光电星光模组-6018系列其它

切换信号电压:10 V	功率消耗:5 W	存储温度/湿度:-40-+85℃/<30%
工作温度/湿度:-20-+60℃/<30%	工作电流:390-450 mA	抗振动:5MM/50HZ/600S
标准输入电压:12 V	电压适应范围:10-14 V	红外照射距离:>25 m

成光兴光电发射管其它

光谱带宽:50nm	发光强度（20mA）:3.5~10mW/sr	发光强度（300mA）:33~110mW/sr
存储温度范围:-40℃~+100℃	封装尺寸:4.84.88.6mm	峰值波长:940nm
工作温度范围:-40℃~+85℃	最大功耗:100mW	最大反向电压:5V
最大反向电流:100μA	正向电压（200mA）:1.65~2.0V	正向电压（50mA）:1.32~1.45V
脉冲正向电流（1/10占空比）:0.8A	芯片材质:GaAs / AlGaAs	辐射角度:40°
连续正向电流:80mA	透镜材质:Water clear

成光兴光电接收管其它

上升时间:15 μs	下降时间:15 μs	光谱带宽范围:760-1100 nm
反向电压:5 V	发射极-集电极击穿电压:3.5 V	存储温度范围:-40℃ to +100℃
导通状态集电极电流:0.7-1.8 mA	峰值灵敏度波长:940 nm	工作温度范围:-25℃ to +85℃
引脚焊接温度（1.6mm处）:260℃ for 5 seconds	引脚焊接温度（5mm处）:350℃ for 3 seconds	暗电流:100 nA
最大功耗:75 mW	集电极-发射极击穿电压:30 V	集电极-发射极饱和电压:0.4 V
集电极电流:20 mA

成光兴光电 φ3 PT 其它

上升/下降时间:15 μS	光谱响应范围:400-1100 nm	典型导通电流:2.0 mA
发射极-集电极击穿电压:3.5 V	存储温度范围:-40℃ to +100℃	峰值波长:940 nm
工作温度范围:-25℃ to +85℃	引脚焊接温度（1.6mm处）:260℃ for 5 seconds	引脚焊接温度（5mm处）:350℃ for 3 seconds
暗电流:100 nA	最大功耗:75 mW	最大导通电流:2.5 mA
集电极-发射极击穿电压:30 V	集电极-发射极饱和电压:0.4 V

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成光兴光电 IRM接收头其它

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