ADC通道数:8通道12位ADC |
I/O电压:1.8 V/3.3 V |
PRU-ICSS:2个200 MHz 32位PRU核,支持工业以太网协议 |
主频:1 GHz |
内核电压:1.1 V |
启动方式:支持NOR/NAND/SPI Flash、SD卡、USB、以太网启动 |
处理器架构:ARM Cortex-A8 |
安全特性:支持AES/SHA硬件加密,安全启动 |
封装尺寸:15×15 mm |
封装形式:NFBGA-324 |
工作温度范围:-40 °C至+105 °C |
支持内存类型:LPDDR1/DDR2/DDR3/DDR3L |
显示控制器:24位RGB LCD控制器,最高支持1366×768分辨率 |
最大内存支持:1 GB |
缓存:32 KB L1指令缓存 + 32 KB L1数据缓存,256 KB L2缓存 |
通信接口:2个千兆以太网MAC,2个CAN 2.0B,6个UART,2个SPI,3个I²C,USB 2.0 OTG/主机 |
ADC分辨率:12位 |
ADC通道数:8 |
ADC采样率:最高200 kSPS |
GPIO数量:最多15个 |
主频:48 MHz |
关断电流:0.185 μA (I/O唤醒) |
内核架构:ARM Cortex-M3 + Cortex-M0 + 16位RISC |
外设接口:2 UART, 2 SSI (SPI), 1 I²C |
存储容量:128 KB Flash, 20 KB SRAM, 4 KB ROM |
安全特性:硬件AES-128加密, 真随机数发生器 |
封装形式:VQFN-32 (5mm × 5mm, 0.5mm引脚间距) |
射频频段:315/433/470/868/915 MHz (Sub-1GHz ISM) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压:1.8 V ∼ 3.8 V |
待机电流:0.6 μA (RTC运行, RAM保持) |
接收灵敏度:-110 dBm @ 50 kbps (2-GFSK), -124 dBm @ 625 bps (Long Range Mode) |
最大发射功率:+14 dBm |
调制方式:2-FSK, 2-GFSK, 4-FSK, 4-GFSK, MSK, OOK |
链路预算:最高138 dB |
ADC模块:2个独立12位ADC模块,共14通道,最高3.45 MSPS |
PWM通道数:16路(其中8路具备150 ps高分辨率边沿精度) |
主频:100 MHz |
供电电压:3.3 V单电源 |
典型功耗:约120 mA(100 MHz满载运行) |
内核类型:32位C28x DSP |
协处理器:FPU32(单精度浮点)、TMU(三角函数加速器)、VCRC |
封装形式:LQFP-64(10 × 10 mm,0.5 mm引脚间距) |
工作温度范围:-40 °C至+125 °C |
片上Flash容量:128 KB(支持ECC) |
片上SRAM容量:24 KB(含ECC) |
ADC数量及精度:3个12位SAR ADC,最多21个外部通道 |
ADC采样率:3.45 MSPS |
Flash容量:256 KB(双Bank,支持ECC) |
PWM通道数:24路(其中16路具备150 ps高分辨率边沿精度) |
SRAM容量:100 KB(含ECC) |
主频:100 MHz |
供电电压:3.3 V单电源 |
典型功耗:约120 mA(100 MHz满载运行) |
内核类型:32位C28x DSP |
封装形式:LQFP-64(10 × 10 mm,0.5 mm引脚间距) |
工作温度范围:-40 °C至+125 °C |
通信接口:3个CAN(2个CAN 2.0B,1个CAN FD),2个SCI/UART,2个SPI,1个I²C,1个FSI |
ADC分辨率:12 位 SAR |
ADC通道数:8 通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
DAC通道数:双 12 位 (部分型号) |
I/O引脚数:48 个 |
SRAM容量:2 KB |
主频:最高 8 MHz |
休眠电流 (LPM4):低至 0.1 µA |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
内置硬件乘法器:16×16 |
唤醒时间 (从 LPM):< 6 µs |
处理器架构:16 位 RISC CPU |
定时器:Timer_A3 (3 通道), Timer_B7 (7 通道) |
封装形式:卷带包装 (R 后缀) |
封装类型:64 引脚 LQFP (PM) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电流 (8 MHz):约 280 µA |
待机电流 (LPM3):低至 0.8 µA |
指令周期时间:62.5 ns |
比较器:Comparator_A+ |
通信接口:2 路 USART (UART/SPI), I²C (软件模拟) |
闪存容量:60 KB |
ADC分辨率:12 位 |
ADC通道数:8 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
DAC分辨率:12 位 |
DAC数量:2 |
DMA通道数:3 |
I/O引脚数:48 |
SRAM容量:2 KB |
休眠模式电流 (LPM4):0.1 µA |
低功耗模式数量:5 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
内置硬件乘法器:16×16 位 |
唤醒时间 (从 LPM3):< 6 µs |
定时器数量:2 (Timer_A3, Timer_B7) |
封装类型:64 引脚 LQFP (PM) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
待机模式电流 (LPM3):0.8 µA |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:8 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
活动模式电流:约 280 µA |
通信接口:2 路 USART (UART/SPI) |
闪存容量:60 KB (含 256 字节信息存储器) |
ADC分辨率:12 位 |
ADC输入通道数:8 个 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数:48 个 |
SRAM容量:4 KB |
休眠电流 (LPM4):0.1 µA |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
内置硬件乘法器:16×16 位 |
唤醒时间 (LPM3):< 1 µs |
定时器:Timer_A3 (16 位, 3 个 CCR), Timer_B7 (16 位, 7 个 CCR) |
封装形式:64 引脚 LQFP (PM) |
封装方式:卷带包装 (R 后缀) |
工作温度范围:-40°C 至 +105°C |
待机电流 (LPM3):0.7 µA |
指令周期:62.5 ns |
支持协议:UART, SPI, I²C |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
比较器:Comparator_A+ |
通信接口:USCI_A0 (UART/SPI), USCI_B0 (I²C/SPI) |
闪存容量:32 KB |
ADC分辨率:12 位 |
ADC通道数:8 个外部通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数:48 个 |
SRAM容量:2 KB |
休眠模式电流 (LPM4):典型 0.1 µA |
低功耗模式数量:5 种 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
内置硬件乘法器:16×16 位 |
唤醒时间 (LPM3→活动):< 1 µs |
定时器:Timer_A3 (16 位, 3 通道), Timer_B7 (16 位, 7 通道) |
封装形式:64 引脚 LQFP (PM) |
工作温度范围:-40°C 至 +105°C |
待机模式电流 (LPM3):典型 0.7 µA |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
模拟比较器:Comparator_A+ |
活动模式电流:约 270 µA (1 MHz, 2.2 V) |
通信接口:USCI_A0 (UART/SPI), USCI_B0 (I²C/SPI) |
闪存容量:60 KB (含 256 字节信息存储器) |
ADC位数:10 位 |
ADC通道数:8 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数:22 个通用 I/O 引脚 |
SRAM容量:256 字节 |
休眠电流 (LPM4):0.1 µA |
唤醒时间 (LPM3→活动):< 6 µs |
定时器:16 位 Timer_A3,3 个捕获/比较寄存器 |
封装形式:28 引脚 TSSOP (PW) |
封装类型:卷带包装 (R 后缀) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
待机电流 (LPM3):0.8 µA |
指令周期:125 ns |
支持晶振类型:32768 Hz 手表晶振及内部数控振荡器 (DCO) |
最高主频:8 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
比较器:Comparator_A+,带内部参考电压 |
通信接口:1 路 USART0(支持 UART/SPI) |
闪存容量:8 KB |
ADC位数:10 位 |
ADC输入通道数:8 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
SRAM容量:256 字节 |
主闪存容量:8 KB (含 256 字节信息存储器) |
交付方式:适配自动化贴装与回流焊 |
休眠模式电流 (LPM4):典型 0.1 µA |
唤醒时间 (LPM3):< 6 µs |
定时器:16 位 Timer_A3,3 个捕获/比较寄存器 |
封装尺寸:5×5mm |
封装形式:卷带包装 (R 后缀) |
封装类型:32 引脚 VQFN (RHB) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
待机模式电流 (LPM3):典型 0.8 µA |
指令周期:125 ns |
最高主频:8 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
比较器:Comparator_A+ |
活动模式电流:约 280 µA (8 MHz, 3 V) |
通信接口:1 路 USART (支持 UART/SPI) |
通用I/O引脚数:22 个 |
ADC分辨率:10 位 |
ADC通道数:8 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数:48 个通用 I/O 引脚 (64 封装) |
LCD驱动能力:最多 96 段 (4 COM × 24 SEG) |
SRAM容量:512 字节 |
交付形式:卷带包装 (R 后缀) |
休眠模式电流 (LPM4):0.1 µA |
低功耗模式数量:5 种软件可选 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
唤醒时间 (LPM3 → 活动):< 6 µs |
定时器数量:3 个 (Timer_A3, Timer_B7, 基本定时器) |
封装类型:64 引脚 LQFP (PM 封装) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
待机模式电流 (LPM3):低至 0.9 µA |
指令周期:125 ns |
最高主频:8 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
活动模式电流:约 280 µA (8 MHz, 3 V) |
通信接口:2 路 USART (UART/SPI), 部分封装支持 I²C 软件模拟 |
闪存容量:16 KB (含 256 字节信息存储器) |
ADC分辨率:12 位 |
ADC通道数:16 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
DMA通道数:3 |
I/O引脚数:87 |
SRAM容量:16 KB |
休眠模式电流 (LPM4):典型 0.1 µA |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
内置硬件乘法器:32 位 |
唤醒时间 (LPM3):< 5 µs |
定时器数量:3 个 16 位定时器 |
封装交付形式:卷带包装 (R 后缀) |
封装形式:100 引脚 LQFP (PZ) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
待机模式电流 (LPM3):典型 1.7 µA |
指令周期:40 ns |
最高主频:25 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
活动模式电流:约 2.6 mA |
通信接口类型:4 路 USCI (UART/SPI/I²C) |
闪存容量:256 KB |
ADC分辨率:12 位 |
ADC输入通道数:16 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
DMA通道数:3 |
I/O引脚数:87 |
SRAM容量:16 KB |
主频:18 MHz |
休眠电流 (LPM4):典型 0.1 µA |
低功耗模式:6 种 |
内置硬件乘法器:32 位 |
唤醒时间 (LPM3):< 5 µs |
定时器:2 个 Timer_A (各 5 个捕获/比较寄存器), 1 个 Timer_B (7 个捕获/比较寄存器) |
实时时钟:带日历和报警功能 |
封装交付形式:卷带包装 (R 后缀) |
封装形式:100 引脚 LQFP (PZ) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
待机电流 (LPM3):典型 1.7 µA |
指令周期:约 55.6 ns |
核心类型:增强型 16 位 RISC CPU |
电源监控:POR, BOR, SVS/SVM |
通信接口:4 路 USCI (UART/SPI/I²C) |
闪存容量:256 KB |
ADC分辨率:12 位 |
ADC通道数:16 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
DMA通道数:3 通道 |
I/O引脚数:63 个通用 I/O |
SRAM容量:8 KB |
USB挂起模式功耗:3.5 µA (VUSB供电) |
USB接口标准:USB 2.0 全速 (12 Mbps) |
低功耗模式:6 种 |
内置硬件乘法器:32 位 |
定时器:2 个 Timer_A (各 5 个捕获/比较寄存器) + 1 个 Timer_B (7 个捕获/比较寄存器) |
实时时钟:带日历报警功能的 RTC |
封装交付形式:卷带包装 (R 后缀) |
封装形式:80 引脚 LQFP (PN 封装) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
快速唤醒时间:< 5 µs (从 LPM3 至活动模式) |
指令周期:40 ns |
最高主频:25 MHz |
核心架构:增强型 16 位 RISC CPU |
电源监控:POR、BOR、SVS/SVM |
通信接口:4 路 USCI (UART/SPI/I²C) + USB |
闪存容量:128 KB |
DMA通道数:3 |
LCD驱动能力:8 COM × 40 SEG,最大 320 段 |
LPM3模式电流:典型 1.6 µA |
LPM4模式电流:典型 0.1 µA |
SAR ADC位数:10 位 |
SRAM容量:8 KB |
Σ-Δ ADC位数:24 位 |
Σ-Δ ADC通道数:3 |
串行通信接口:4 路 eUSCI (3 UART/SPI, 1 I²C/SPI) |
交付形式:卷带包装 (R 后缀) |
低功耗模式:6 种 |
内置硬件乘法器:32 位 |
唤醒时间:< 5 µs (从 LPM3 至活动模式) |
定时器资源:2 个 16 位 Timer_A,1 个 16 位 Timer_B |
实时时钟(RTC):带日历和报警功能 |
封装形式:100 引脚 LQFP (PZ) |
封装类型:LQFP |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
最高主频:25 MHz |
核心架构:增强型 16 位 RISC CPU |
活动模式电流:约 2.9 mA (25 MHz, 3 V) |
通用I/O引脚数:79 |
闪存容量:128 KB |
ADC分辨率:10 位 |
ADC通道数:8 个外部通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
FRAM写入次数:10¹⁵ 次 |
FRAM写入速度:与 SRAM 相当 |
FRAM容量:2 KB |
I/O引脚数:12 个 |
低功耗模式:支持多达 6 种低功耗模式 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
唤醒时间:< 10 µs |
存储类型:FRAM |
定时器:1 个 16 位 Timer_B |
封装形式:16 引脚 TSSOP (PW) |
封装类型:卷带包装 (R 后缀) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
待机电流:15 nA |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
比较器:高精度模拟比较器 |
活动模式电流:约 120 µA/MHz |
通信接口:eUSCI_A (UART/SPI), eUSCI_B (I²C/SPI) |
ADC分辨率:10 位 SAR |
ADC通道数:8 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
FRAM写入耐久性:10¹⁵ 次 |
FRAM容量:4 KB |
I/O引脚数:12 个 |
低功耗模式数量:6 种 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
关断模式功耗 (LPM4.5):典型 15 nA |
唤醒时间 (从 LPM3):< 10 µs |
封装形式:16 引脚 TSSOP (PW) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
待机模式功耗 (LPM3):典型 0.7 µA |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
活动模式功耗:约 120 µA/MHz |
通信接口:双路 eUSCI (UART/SPI/I²C) |
ADC 分辨率:12 位 SAR |
ADC 输入通道数:8 个外部通道 |
ADC 采样率:最高 200 ksps |
FRAM 写入耐久性:10¹⁵ 次 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
关断模式电流 (LPM4.5):典型 15 nA |
内置硬件乘法器:32 位硬件乘法器 (MPY32) |
唤醒时间 (LPM3 → 活动):< 10 µs |
封装尺寸:4×4mm |
封装类型:24 引脚 VQFN (RGE) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
待机模式电流 (LPM3):典型 0.7 µA |
指令周期:62.5 ns |
数据存储器容量:4 KB |
数据存储器类型:SRAM |
最高主频:16 MHz |
核心类型:16 位 RISC CPU |
活动模式电流 (16 MHz, 3 V):约 120 µA/MHz |
程序存储器容量:16 KB |
程序存储器类型:FRAM |
通信接口:eUSCI_A (UART/SPI), eUSCI_B (I²C/SPI) |
ADC分辨率:12 位 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
AES加密支持:AES-256 硬件加速器 |
DAC分辨率:12 位 |
DMA通道数:3 通道 |
FRAM容量:256 KB |
I/O引脚数量:48 个 |
LCD驱动能力:支持 8 COM × 28 SEG,最多 224 段 |
LPM3电流消耗:0.7 µA |
LPM4.5电流消耗:20 nA |
SRAM容量:8 KB |
低功耗模式:7 种 |
唤醒时间 (LPM3):< 10 µs |
封装形式:64 引脚 LQFP (PM 封装) |
封装形式 (交付):卷带包装 (R 后缀) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:16 MHz |
核心类型:16 位 RISC CPU |
运算放大器数量:2 路 |
通信接口:2 路 eUSCI_A, 2 路 eUSCI_B (支持 UART/SPI/I²C) |
ADC位数:10 位 |
ADC通道数:8 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数:16 个 |
SRAM容量:256 字节 |
唤醒时间:< 1 µs (从 LPM3 唤醒至活动模式) |
定时器:1 个 16 位 Timer_A2 |
封装交付形式:卷带包装 (R 后缀) |
封装形式:20 引脚 TSSOP (PW) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
工作电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
待机电流:典型 0.7 µA (LPM3) |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
看门狗定时器:支持 |
通信接口:USI (支持 SPI / I²C) |
闪存容量:4 KB (含 256 字节信息存储器) |
ADC分辨率:10 位 SAR ADC |
ADC通道数:8 个外部输入通道 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数:16 个通用 I/O 引脚 |
SRAM容量:512 字节 |
串行接口:2 路增强型 USCI (eUSCI_A 和 eUSCI_B) |
低功耗模式:5 种软件可选低功耗模式 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
唤醒时间:< 1 µs (从 LPM3 唤醒至活动模式) |
定时器:Timer_A2 (2 通道) 和 Timer_A3 (3 通道) |
封装形式:20 引脚 TSSOP (PW) |
封装类型:卷带包装 (R 后缀) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
开发支持:TI LaunchPad 开发板、免费软件库、应用笔记 |
待机电流:0.5 µA (LPM3) |
指令周期:62.5 ns |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
电容触摸功能:支持 (部分 I/O 引脚) |
看门狗定时器:支持 |
闪存容量:16 KB (含 256 字节信息存储器) |
ADC位数:10 位 SAR ADC |
ADC输入通道数:8 个 |
ADC采样率:最高 200 ksps |
I/O引脚数量:24 个 |
LPM3待机电流:典型 0.5 µA |
SRAM容量:512 字节 |
低功耗模式:5 种 |
供电电压范围:1.8 V 至 3.6 V |
唤醒时间:< 1 µs |
定时器:Timer_A2 (16 位, 2 通道), Timer_A3 (16 位, 3 通道) |
封装类型:28 引脚 TSSOP (PW) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
指令周期:62.5 ns |
支持协议:UART, SPI, I²C |
最高主频:16 MHz |
核心架构:16 位 RISC CPU |
电容触摸功能:支持 PinOsc 电容触摸检测 |
通信接口:eUSCI_A (UART/SPI), eUSCI_B (I²C/SPI) |
闪存容量:16 KB (含 256 字节信息存储器) |
ADC分辨率:12 位 SAR 型 |
ADC通道数:16 个模拟输入通道 |
ADC采样率:12.5 MSPS |
PWM通道数:16 路 |
SRAM容量:36 KB |
供电电压:核心 1.8V,I/O 3.3V |
封装形式:100 引脚 LQFP (PZ) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
指令周期:10 ns |
最高主频:100 MHz |
核心架构:32 位 C28x 定点 DSP 内核 |
硬件乘法器:16×16 和 32×32 位 |
通信接口:CAN 2.0B、SCI (UART)、SPI、I²C |
闪存容量:128 KB |
高分辨率PWM精度:150 ps |
ADC分辨率:12 位 SAR |
ADC采样率:4.6 MSPS |
HRPWM精度:150 ps |
PWM通道数:8 路增强型 PWM |
SRAM容量:10 KB |
供电电压:核心 1.8V,I/O 3.3V |
封装形式:48 引脚 LQFP (PT) |
工作温度范围:-40°C 至 +85°C |
指令周期:25 ns |
最高主频:40 MHz |
核心类型:32 位 C28x 定点 DSP |
硬件乘法器:16×16 和 32×32 位 |
通信接口:SCI (UART)、SPI、I²C |
闪存容量:64 KB |
ADC分辨率:12 位 SAR |
ADC采样率:4.6 MSPS |
HRPWM精度:150 ps |
PWM通道数:8 路增强型 PWM |
SRAM容量:12 KB |
主频:60 MHz |
供电电压:核心 1.8V,I/O 3.3V |
封装形式:48 引脚 LQFP (PT) |
工作温度范围:-40°C 至 +105°C |
指令周期:16.67 ns |
核心架构:32 位 C28x 定点 DSP |
硬件乘法器:16×16 和 32×32 位 |
通信接口:SCI (UART), SPI, I²C |
闪存容量:64 KB |
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