产品概述
DCUK023M65G3 是一款 650V、100A SiC MOSFET，采用 TOLL 封装，适用于高效率功率变换应用。器件具备可靠的电气性能与热管理能力。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 100A 电流能力
- 低损耗设计，支持高效率开关
- TOLL 封装，便于散热与系统集成
应用领域
- 开关电源
- PFC 电路
- 光伏与储能变流器
- 电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
DCUK023M65G3 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 100A | |
| Diode Forward Voltage | 3.9V | |
| Diode Max Current | 81A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 170nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 23ns | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-Source On-State Resistance | 33mΩ | |
| Fall Time | 10ns | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate Total Charge | 70nC | |
| Gate-Drain Charge | 20nC | |
| Gate-Source Charge | 24nC | |
| Gate-Source Leakage Current | 250nA | |
| Gate-Source Voltage | -10 ~ 23V | |
| Input Capacitance | 2434pF | |
| Internal Gate Resistance | 2.5Ω | |
| Operating Junction Temperature | -55 ~ 175℃ | |
| Output Capacitance | 159pF | |
| Package | TOLL | |
| Peak Reverse Recovery Current | 9A | |
| Power Dissipation | 312W | |
| Pulsed Drain Current | 254A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 10.7pF | |
| Rise Time | 16ns | |
| Storage Temperature | -55 ~ 175℃ | |
| Thermal Resistance Junction-Ambient | 40℃/W | |
| Thermal Resistance Junction-Case | 0.48℃/W | |
| Turn-Off Delay Time | 29ns | |
| Turn-Off Switching Energy | 94μJ | |
| Turn-On Delay Time | 12ns | |
| Turn-On Switching Energy | 138μJ | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 100μA |
产品替代
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资料下载
DCUK023M65G3 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DCUK023M65G3_Datasheet_V1.0 | 3.23 MB | 下载 |
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