产品概述
DTD100N06L 是一款 60V、72A 沟槽型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适用于高效率功率变换应用。
核心特点/优势
- 60V 耐压与 72A 电流能力，满足中高功率应用需求
- 低导通损耗和可靠开关性能，提升系统整体效率
- TO-252 封装设计，散热性能优异，便于焊接与安装
应用领域
- 开关电源
- 电池管理系统
- 电机控制
- 同步整流
选型指南/使用建议
请结合工作电压、电流、散热条件和开关频率选型，并以随附 datasheet 的参数为准。设计时需注意栅极驱动电压范围（±20V），并合理布局 PCB 以优化散热路径，确保结温不超过 150°C。
DTD100N06L MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Body Diode Forward Voltage | ≤1.2V | |
| Continuous Drain Current | 72A | |
| Drain-Source On-State Resistance | 8.5mΩ | |
| Drain-Source Voltage | 60V | |
| Fall Time | 14ns | |
| Gate Threshold Voltage | 1.0 ~ 2.0V | |
| Gate-Source Voltage | ±20V | |
| Input Capacitance | 3467pF | |
| Operating Junction Temperature | -55 ~ 150℃ | |
| Output Capacitance | 175pF | |
| Package | TO-252 | |
| Pulsed Drain Current | 287A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 149pF | |
| Rise Time | 25ns | |
| Storage Temperature | -55 ~ 150℃ | |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient | 75℃/W | |
| Thermal Resistance Junction-to-Case | 1.6℃/W | |
| Total Gate Charge | 64nC | |
| Turn-Off Delay Time | 55ns | |
| Turn-On Delay Time | 8.5ns |
产品替代
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DTD100N06L MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| 7936505723 | 752.85 KB | 下载 |
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