产品概述
DTF080N07N 是一款 68V、45A 沟槽型功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，专为高效率功率变换应用设计。结合先进的沟槽技术，该器件在保持低导通损耗的同时提供可靠的开关性能，适用于多种中低压电源转换场景。核心特点/优势
- 68V 耐压与 45A 持续电流能力，满足多数中低压功率变换需求
- 优化的沟槽栅极结构实现极低导通电阻（typ 7.8mΩ），显著降低导通损耗
- 优异的开关特性与低栅极电荷，提升高频开关效率并降低驱动损耗
- TO-220F 封装设计，具备出色的散热性能与安装便利性
应用领域
- 开关电源
- 电池管理系统
- 电机控制
- 同步整流
选型指南/使用建议
请结合实际应用的工作电压、负载电流、散热条件及开关频率进行综合选型，确保工作参数不超过绝对最大额定值。建议在设计中预留足够的降额空间，并参考随附 datasheet 中的热阻曲线与安全工作区（SOA）进行热设计与布局。注意栅极驱动电压范围（±20V），合理配置栅极电阻以优化开关速度与EMI表现。
DTF080N07N MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 45A | |
| Diode Forward Voltage | 1.2V | |
| Diode Max Current | 45A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 21nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 29ns | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 68V | |
| Drain-Source On-State Resistance | 9.0mΩ | |
| Fall Time | 11ns | |
| Gate Plateau Voltage | 5.8V | |
| Gate Resistance | 1.4Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate Total Charge | 59nC | |
| Gate-Drain Charge | 19nC | |
| Gate-Source Charge | 17nC | |
| Gate-Source Leakage Current | 100nA | |
| Gate-Source Voltage | ±20V | |
| Input Capacitance | 2859pF | |
| Operating Junction Temperature | -55 ~ 150℃ | |
| Output Capacitance | 193pF | |
| Package | TO-220F | |
| Power Dissipation | 37W | |
| Pulsed Drain Current | 181A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 160pF | |
| Rise Time | 28ns | |
| Storage Temperature | -55 ~ 150℃ | |
| Thermal Resistance Junction-Ambient | 85℃/W | |
| Thermal Resistance Junction-Case | 3.4℃/W | |
| Transconductance | 36S | |
| Turn-Off Delay Time | 34ns | |
| Turn-On Delay Time | 13ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 100μA |
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DTF080N07N MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| 7908772041 | 777.29 KB | 下载 |
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