产品概述
DJF190N65T 是一款 650V、20A 功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 20A 电流能力，满足高功率应用需求
- 低损耗设计，支持高效率功率变换，提升系统能效
- TO-220F 封装，便于散热与系统集成，兼顾紧凑性与可靠性
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行选型；使用前请仔细核对随附 Datasheet 技术参数，并在电路设计中配置过压、过流及防静电保护电路，以确保系统稳定运行。
DJF190N65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Drain Current | 20A | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-Source On-State Resistance | 0.16Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Input Capacitance | 1253pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Recovery Time | 290ns | |
| Total Gate Charge | 26.8nC |
产品替代
找到 个替代产品
资料下载
DJF190N65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJF190N65T_Datasheet_V1.0 | 930.94 KB | 下载 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
