产品概述
DJG290N65T 是一款 650V、15A 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 15A 强电流能力，满足宽电压范围应用需求
- 低损耗设计，支持高效率功率变换，显著提升系统能效
- TO-220 标准封装，便于高效散热与系统集成
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行合理选型；使用前务必核对随附 Datasheet，并在电路设计中配置过压、过流及防静电保护器件，以确保系统稳定运行。
DJG290N65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Diode Forward Current | 15A | |
| Diode Forward Voltage | 1.2V | |
| Drain-to-source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-to-source Leakage Current | 5uA | |
| Drain-to-source On-state Resistance | 265 ~ 280mΩ | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-drain Charge | 6.4nC | |
| Gate-to-source Charge | 5.5nC | |
| Gate-to-source Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 928.6pF | |
| Output Capacitance | 22.6pF | |
| Package Type | TO-220C | |
| Reverse Recovery Charge | 2.5uC | |
| Reverse Recovery Time | 235nS | |
| Reverse Transfer Capacitance | 1.8pF | |
| RoHS Compliance | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 18.4nC | |
| Turn-off Delay Time | 44.3nS | |
| Turn-off Fall Time | 18.8nS | |
| Turn-on Delay Time | 17.3nS | |
| Turn-on Rise Time | 19.8nS |
产品替代
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资料下载
DJG290N65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJG290N65T_Datasheet_V1.0 | 943.92 KB | 下载 |
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