DonghaiSemiconductor DJB290N65T SJ MOSFET

650V 15A DJB290N65T

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2026-09-12 21:00:02
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  • DJB290N65T

  • MOSFET

  • DonghaiSemiconductor

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  • DONGHAI 东海半导体

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产品概述

DJB290N65T 是一款 650V、15A 功率 MOSFET,采用 TO-251 封装,适用于高效率功率变换应用,并具备可靠的电气及热管理性能。

核心特点/优势

  • 650V 耐压与 15A 电流能力,满足多种功率变换需求
  • 低损耗设计,支持高效率功率变换,提升系统整体能效
  • TO-251 封装,便于散热与系统集成,热管理性能可靠

应用领域

  • 开关电源
  • 适配器与充电器
  • 光伏和储能系统
  • 工业电源与电机驱动

选型指南/使用建议

请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率选型;使用前请核对随附 datasheet,并配置过压、过流及防静电保护。

DJB290N65T MOSFET选型参数

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更多规格
Certifications Pb-free
Diode Forward Current 15A
Diode Forward Voltage 1.2V
Drain-Source Breakdown Voltage 650V
Drain-Source Leakage Current 1uA
Drain-Source On-State Resistance 265 ~ 290mΩ
Gate Threshold Voltage 2.5 ~ 4.5V
Gate-Drain Charge 6.4nC
Gate-Source Charge 5.46nC
Gate-Source Leakage Current ±100nA
Input Capacitance 928.6pF
Output Capacitance 22.6pF
Package TO-251
Reverse Recovery Charge 2.5uC
Reverse Recovery Time 235ns
Reverse Transfer Capacitance 1.8pF
Total Gate Charge 18.4nC
Turn-Off Delay Time 44.3ns
Turn-Off Fall Time 18.8ns
Turn-On Delay Time 17.3ns
Turn-On Rise Time 19.8ns

产品替代

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DJB290N65T MOSFET资源附件
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Donghai_DJB290N65T_Datasheet_V1.0 923.13 KB
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