产品概述
DJZ380N65T 是一款 650V、13A 功率 MOSFET，采用 PDFN8*8 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 13A 电流能力，满足高压大电流应用需求
- 低损耗设计，支持高效率功率变换，有效降低系统发热
- PDFN8*8 封装，便于散热与系统集成，提升整体功率密度
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行合理选型；使用前请务必核对随附 datasheet，并在电路设计中配置过压、过流及防静电保护电路，以确保系统长期稳定运行。
DJZ380N65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Diode Forward Current | 11A | |
| Diode Forward Voltage | 1.3V | |
| Drain-to-source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-to-source On-state Resistance | 310 ~ 380mΩ | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-drain Charge | 5.9nC | |
| Gate-to-source Charge | 5.8nC | |
| Gate-to-source Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 915pF | |
| Output Capacitance | 92.3pF | |
| Package Type | DFN8*8 | |
| Reverse Recovery Charge | 2.7µC | |
| Reverse Recovery Time | 250ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 26.7pF | |
| RoHS Compliance | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 19.6nC | |
| Turn-off Delay Time | 70.1ns | |
| Turn-off Fall Time | 34ns | |
| Turn-on Delay Time | 18.7ns | |
| Turn-on Rise Time | 31.3ns |
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资料下载
DJZ380N65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJZ380N65T_Datasheet_V1.0 | 883.35 KB | 下载 |
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