产品概述
DJBS380N65T 是一款 650V、11A 功率 MOSFET，采用 TO-251B 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 11A 电流能力，满足中高功率应用场景需求
- 低损耗设计，支持高效率功率变换，提升系统能效
- TO-251B 封装，便于散热与系统集成，兼容主流 PCB 布局
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行选型；使用前请核对随附 Datasheet，并务必配置过压、过流及防静电保护措施，以确保系统稳定运行。
DJBS380N65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Diode Forward Current | 11A | |
| Diode Forward Voltage | ≤1.3V | |
| Drain Current | 11A | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-Source Leakage Current | ≤1μA | |
| Drain-Source On-State Resistance | 310 ~ 380mΩ | |
| Gate-Drain Charge | 5.9nC | |
| Gate-Source Charge | 5.8nC | |
| Gate-Source Leakage Current | ≤±100nA | |
| Gate-Source Threshold Voltage | 2 ~ 4V | |
| Input Capacitance | 915pF | |
| Output Capacitance | 92.3pF | |
| Package | TO-251B | |
| Reverse Recovery Charge | 2.7uC | |
| Reverse Recovery Time | 250nS | |
| Reverse Transfer Capacitance | 26.7pF | |
| Total Gate Charge | 19.6nC | |
| Turn-Off Delay Time | 70.1nS | |
| Turn-Off Fall Time | 34nS | |
| Turn-On Delay Time | 18.7nS | |
| Turn-On Rise Time | 31.3nS |
产品替代
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资料下载
DJBS380N65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJBS380N65T_Datasheet_V1.0 | 908.02 KB | 下载 |
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