产品概述
DJP380N65T 是一款 650V、13A 功率 MOSFET，采用 PDFN5*6 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 13A 电流能力
- 低损耗设计，支持高效率功率变换
- PDFN5*6 封装，便于散热与系统集成
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
DJP380N65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Breakdown Voltage | 650V | |
| Diode Forward Current | 11A | |
| Diode Forward Voltage | 1.3V | |
| Drain-to-source Leakage Current | ≤1μA | |
| Drain-to-source On-state Resistance | 310 ~ 380mΩ | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-drain Charge | 5.9nC | |
| Gate-to-source Charge | 5.8nC | |
| Gate-to-source Leakage Current | ≤±100nA | |
| Input Capacitance | 915pF | |
| Output Capacitance | 92.3pF | |
| Package | DFN5*6 | |
| Reverse Recovery Charge | 2.7μC | |
| Reverse Recovery Time | 250ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 26.7pF | |
| Total Gate Charge | 19.6nC | |
| Turn-off Delay Time | 70.1ns | |
| Turn-off Fall Time | 34ns | |
| Turn-on Delay Time | 18.7ns | |
| Turn-on Rise Time | 31.3ns |
产品替代
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资料下载
DJP380N65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJP380N65T_Datasheet_V1.0 | 916.84 KB | 下载 |
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