产品概述
DJB12DN65T 是一款 650V、5A 功率 MOSFET，采用 TO-251 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 5A 电流能力
- 低损耗设计，支持高效率功率变换
- TO-251 封装，便于散热与系统集成
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
DJB12DN65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Body Diode Forward Voltage | ≤1.3V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-Source On-State Resistance | 1Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-Drain Charge | 2.7nC | |
| Gate-to-Source Charge | 1.5nC | |
| Input Capacitance | 229pF | |
| Output Capacitance | 9.2pF | |
| Package | TO-251 | |
| Reverse Recovery Charge | 770nC | |
| Reverse Recovery Time | 134ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.8pF | |
| Total Gate Charge | 5.9nC | |
| Turn-Off Delay Time | 18.8ns | |
| Turn-Off Fall Time | 20.5ns | |
| Turn-On Delay Time | 6.8ns | |
| Turn-On Rise Time | 11ns |
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DJB12DN65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJB12DN65T_Datasheet_V1.0 | 914.26 KB | 下载 |
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