产品概述
DJG12DN65T 是一款 650V、5.5A 功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 5.5A 电流能力，满足中高功率密度设计需求
- 低损耗设计，支持高效率功率变换，有效降低系统整体能耗
- TO-220 封装结构，便于散热与系统集成，提升长期运行可靠性
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护措施，以确保系统安全稳定运行。
DJG12DN65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Breakdown Voltage | 650V | |
| Certifications | RoHS | |
| Diode Forward Current | 5.5A | |
| Diode Forward Voltage | 1.3V | |
| Drain-to-Source on-state Resistance | 1Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-Drain Charge | 2.7nC | |
| Gate-to-Source Charge | 1.5nC | |
| Input Capacitance | 229pF | |
| Output Capacitance | 9.2pF | |
| Package | TO-220C | |
| Reverse Recovery Charge | 0.77µC | |
| Reverse Recovery Time | 134nS | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.8pF | |
| Total Gate Charge | 5.9nC | |
| Turn-off Delay Time | 18.8nS | |
| Turn-off Fall Time | 20.5nS | |
| Turn-on Delay Time | 6.8nS | |
| Turn-on Rise Time | 11nS |
产品替代
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资料下载
DJG12DN65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJG12DN65T_Datasheet_V1.0 | 931.70 KB | 下载 |
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