产品概述
DJE190N60T 是一款 600V、23A 功率 MOSFET，采用 TO-263 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 600V 耐压与 23A 电流能力
- 低损耗设计，支持高效率功率变换
- TO-263 封装，便于散热与系统集成
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
DJE190N60T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Body Diode Forward Voltage | ≤1.3V | |
| Diode Forward Current | 23A | |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage | 600V | |
| Drain-to-Source Leakage | 1μA | |
| Drain-to-Source on-state Resistance | 0.16 ~ 0.19Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-Drain Charge | 9.43nC | |
| Gate-to-Source Charge | 6.81nC | |
| Gate-to-Source Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 1253pF | |
| Max Drain Current | 23A | |
| Output Capacitance | 75.8pF | |
| Package | TO-263 | |
| Reverse Recovery Charge | 3.2μC | |
| Reverse Recovery Time | 290ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.59pF | |
| RoHS | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 26.8nC | |
| Turn-off Delay Time | 44ns | |
| Turn-off Fall Time | 11.9ns | |
| Turn-on Delay Time | 12ns | |
| Turn-on Rise Time | 17ns |
产品替代
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资料下载
DJE190N60T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJE190N60T_Datasheet_V1.0 | 927.75 KB | 下载 |
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