产品概述
DJF12DN65T 是一款 650V、5A 功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 5A 持续电流能力，满足严苛功率变换需求
- 低导通电阻设计（典型值1Ω），显著降低开关损耗，提升系统整体转换效率
- TO-220F 绝缘封装，优化散热路径，便于高密度系统集成与热管理
- 内置快恢复体二极管（t_rr=134ns），适用于反激、同步整流等拓扑结构
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统工作电压、最大负载电流、散热条件及开关频率进行合理选型；设计时务必参考完整 datasheet，并配置完善的过压、过流及防静电（ESD）保护电路；建议工作结温控制在安全范围内，确保长期可靠运行。
DJF12DN65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS; Pb-free | |
| Diode Forward Current | 5A | |
| Diode Forward Voltage | ≤1.3V | |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-to-Source Leakage Current | ≤1μA | |
| Drain-to-Source on-state Resistance | 1Ω(Typ); 1.2Ω(Max) | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-Drain Charge | 2.7nC | |
| Gate-to-Source Charge | 1.5nC | |
| Gate-to-Source Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 229pF | |
| Output Capacitance | 9.2pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Recovery Charge | 0.77uC | |
| Reverse Recovery Time | 134nS | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.8pF | |
| Total Gate Charge | 5.9nC | |
| Turn-off Delay Time | 18.8nS | |
| Turn-off Fall Time | 20.5nS | |
| Turn-on Delay Time | 6.8nS | |
| Turn-on Rise Time | 11nS |
产品替代
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资料下载
DJF12DN65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJF12DN65T_Datasheet_V1.0 | 930.55 KB | 下载 |
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