产品概述
DJF900N65T 是一款 650V、5A 功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 5A 大电流能力，满足严苛工况需求
- 低损耗设计，支持高效率功率变换，提升系统能效
- TO-220F 封装结构，便于散热设计与系统集成
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行合理选型；使用前请务必核对随附 Datasheet，并在电路设计中配置过压、过流及防静电保护措施，以确保系统稳定运行。
DJF900N65T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Diode Forward Current | 5A | |
| Diode Forward Voltage | 1.3V | |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage | 650V | |
| Drain-to-Source Leakage Current | 5μA | |
| Drain-to-Source On-State Resistance | 0.8 ~ 0.9Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Gate-to-Drain Charge | 2.9nC | |
| Gate-to-Source Charge | 1.6nC | |
| Gate-to-Source Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 276pF | |
| Output Capacitance | 23pF | |
| Package Type | TO-220F | |
| Reverse Recovery Charge | 0.6μC | |
| Reverse Recovery Time | 105ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.5pF | |
| Total Gate Charge | 6.8nC | |
| Turn-off Delay Time | 24.7ns | |
| Turn-off Fall Time | 13.3ns | |
| Turn-on Delay Time | 6.9ns | |
| Turn-on Rise Time | 11.1ns |
产品替代
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资料下载
DJF900N65T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJF900N65T_Datasheet_V1.0 | 931.14 KB | 下载 |
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