产品概述
DJF190N60T 是一款 600V、20A 功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高效率功率变换应用，并具备可靠的电气及热管理性能。核心特点/优势
- 600V 耐压与 20A 电流能力，满足中高功率场景需求
- 低损耗设计，R_DS(on)典型值仅0.16Ω，支持高效率功率变换，有效降低系统发热
- TO-220F 封装，便于散热与系统集成，适配标准PCB布局
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 光伏和储能系统
- 工业电源与电机驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。建议搭配合适的外围驱动电路以确保开关性能，工作结温需控制在安全范围内。
DJF190N60T MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 20A | |
| Diode Forward Voltage | 1.3V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 600V | |
| Drain-to-Source on-state Resistance | 0.16 ~ 0.19Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.5 ~ 4.5V | |
| Input Capacitance | 1253pF | |
| Output Capacitance | 75.8pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Recovery Charge | 3.2µC | |
| Reverse Recovery Time | 290ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 0.59pF | |
| RoHS | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 26.8nC |
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资料下载
DJF190N60T MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DJF190N60T_Datasheet_V1.0 | 930.72 KB | 下载 |
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