产品概述
F9N90 是一款 900V、9A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。核心特点/优势
- 900V 耐压与 9A 电流能力
- 低导通损耗，适用于高效率开关
- TO-220F 封装，便于系统散热
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
F9N90 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 9A | |
| Continuous Source Current | 9A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 900V | |
| Drain-Source On Resistance | 0.92Ω; 1.3Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate-to-Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate-to-Drain Charge | 18nC | |
| Gate-to-Source Charge | 22nC | |
| Input Capacitance | 4100pF | |
| Output Capacitance | 185pF | |
| Reverse Recovery Charge | 9.4µC | |
| Reverse Recovery Time | 1.2µs | |
| Reverse Transfer Capacitance | 13pF | |
| Total Gate Charge | 65nC | |
| Turn-off Delay Time | 62ns | |
| Turn-off Fall Time | 23ns | |
| Turn-on Delay Time | 22ns | |
| Turn-on Rise Time | 9.0ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1.0μA; 250μA |
产品替代
找到 个替代产品
资料下载
F9N90 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_F9N90_Datasheet_V1.0 | 1.12 MB | 下载 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
