产品概述
20N65D 是一款由东海半导体推出的 650V、20A 高压功率 MOSFET，采用 TO-3PN 封装。该器件专为高压、高效率功率变换应用而设计，具备极低的导通损耗与优异的开关性能，能够有效提升系统整体能效。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 20A 持续电流能力，满足严苛高压工况
- 超低导通电阻（Typ. 0.45Ω），显著降低导通损耗，提升转换效率
- TO-3PN 金属封装，散热性能优异，便于系统热管理
- 优化的开关特性与栅极电荷设计，支持高频高效运行
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
建议结合实际工作电压、负载电流、PCB散热条件及开关频率进行综合选型。使用前务必核对最新 Datasheet，并在电路设计中配置完善的过压（TVS/RC吸收）、过流（保险丝/限流）及防静电（ESD）保护电路，以确保器件长期可靠运行。
20N65D MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 关断下降时间 | 38.5ns | |
| 关断延迟时间 | 66.8ns | |
| 反向传输电容 | 10pF | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 开启上升时间 | 40ns | |
| 开启延迟时间 | 23.3ns | |
| 总栅极电荷 | 52.7nC | |
| 栅源阈值电压 | 2V-4V | |
| 漏极电流 | 20A | |
| 漏源击穿电压 | 650V | |
| 漏源导通电阻 | 0.45Ω | |
| 输入电容 | 3050pF | |
| 输出电容 | 213pF |
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20N65D MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_20N65_Datasheet_V1.0 | 911.42 KB | 下载 |
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