产品概述
5N60 是一款 600V、5A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。
核心特点/优势
- 600V 耐压与 5A 电流能力，满足高压大功率应用需求
- 低导通损耗设计，显著提升系统转换效率
- TO-220 封装结构，散热性能优异，便于系统热管理
- 优化的开关特性与低栅极电荷，适用于高频开关电源场景
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合工作电压、额定电流、散热条件及开关频率进行合理选型；实际使用前请严格核对官方 Datasheet，并在电路设计中配置过压、过流及防静电（ESD）保护电路，以确保系统长期稳定运行。产品采用 Tube 管装包装，每管 50 颗。
5N60 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Diode Forward Current | 5A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage | 600V | |
| Drain-to-Source Leakage Current | 1μA | |
| Drain-to-Source on-state Resistance | 2.45Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2 ~ 4V | |
| Gate-to-Drain Charge | 4.7nC | |
| Gate-to-Source Charge | 3.5nC | |
| Gate-to-Source Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 550pF | |
| Output Capacitance | 50pF | |
| Package | TO-220C | |
| Reverse Recovery Charge | 2.2μC | |
| Reverse Recovery Time | 270ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 1.4pF | |
| Total Gate Charge | 11.9nC | |
| Turn-off Delay Time | 15.8ns | |
| Turn-off Fall Time | 13.5ns | |
| Turn-on Delay Time | 8ns | |
| Turn-on Rise Time | 13ns |
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5N60 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_5N60_Datasheet_V1.0 | 908.43 KB | 下载 |
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