产品概述
F4N60 是一款 600V、4A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。核心特点/优势
- 600V 高耐压与 4A 电流能力，满足严苛功率变换需求
- 低导通损耗设计，显著提升系统整体转换效率
- 采用 TO-220F 封装，提供优异的散热性能与安装便利性
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合系统工作电压、负载电流、散热条件及开关频率进行综合选型；设计使用前务必核对完整数据手册，并在电路中添加过压、过流保护及防静电措施，以确保器件长期稳定运行。
F4N60 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 4A | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 600V | |
| Drain-Source On-Resistance | 2.1Ω | |
| Gate-Source Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Input Capacitance | 590pF | |
| Output Capacitance | 55pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Transfer Capacitance | 4.0pF | |
| RoHS Compliance | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 14.5nC |
产品替代
找到 个替代产品
资料下载
F4N60 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_F4N60_Datasheet_V1.0 | 1.16 MB | 下载 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
