产品概述
D4N60 是一款 600V、4A 高压功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。
核心特点/优势
- 600V 高耐压与 4A 电流能力，满足高压功率变换需求
- 低导通损耗设计，显著提升系统转换效率
- TO-252 标准封装，结构紧凑，便于系统散热与PCB布局
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合系统工作电压、负载电流、散热条件及开关频率进行综合选型；使用前务必核对最新 datasheet 数据，并在电路设计中配置过压、过流及防静电保护电路，以确保器件长期稳定运行。
D4N60 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Source Current | 4A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 600V | |
| Drain-Source On Resistance | 2.1 ~ 2.5Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate-to-Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate-to-Drain Charge | 6.5nC | |
| Gate-to-Source Charge | 2.6nC | |
| Input Capacitance | 590pF | |
| Output Capacitance | 55pF | |
| Package Type | TO-252B | |
| Reverse Recovery Charge | 1000nC | |
| Reverse Recovery Time | 250ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 4.0pF | |
| RoHS | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 14.5nC | |
| Turn-off Delay Time | 34ns | |
| Turn-off Fall Time | 13ns | |
| Turn-on Delay Time | 14ns | |
| Turn-on Rise Time | 15ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA; 100μA |
产品替代
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资料下载
D4N60 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_D4N60_Datasheet_V1.0 | 1.14 MB | 下载 |
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