产品概述
D2N60 是一款 600V、2A 高压功率 MOSFET，采用 TO-252 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。
核心特点/优势
- 600V 耐压与 2A 电流能力
- 低导通损耗，适用于高效率开关
- TO-252 封装，便于系统散热
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
D2N60 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 2A | |
| Continuous Source Current (Body Diode) | 2A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 600V | |
| Drain-Source On Resistance | 3.6 ~ 4.5Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate-to-Body Leakage Current | ±100nA | |
| Input Capacitance | 335pF | |
| Output Capacitance | 33pF | |
| Package | TO-252 | |
| Reverse Recovery Charge | 610nC | |
| Reverse Recovery Time | 187ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 3pF | |
| RoHS | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 9.5nC | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA |
产品替代
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资料下载
D2N60 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_D2N60_Datasheet_V1.0 | 1.26 MB | 下载 |
温馨提示
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