DonghaiSemiconductor 28N50D HV MOSFET

500V 28A 28N50D

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2026-09-12 21:00:04
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  • 28N50D

  • MOSFET

  • DonghaiSemiconductor

  • 5 周

  • DONGHAI 东海半导体

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产品概述

28N50D 是一款 500V、28A 高压功率 MOSFET,采用 TO-3PN 封装,适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。

核心特点/优势

  • 500V 耐压与 28A 电流能力
  • 低导通损耗,适用于高效率开关
  • TO-3PN 封装,便于系统散热

应用领域

  • 开关电源
  • 适配器与充电器
  • 工业电源
  • 照明驱动

选型指南/使用建议

请结合电压、电流、散热条件和开关频率选型;使用前请核对随附 datasheet,并配置过压、过流及防静电保护。

28N50D MOSFET选型参数

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更多规格
Continuous Drain Current 28A
Drain-Source Breakdown Voltage 500V
Drain-Source On-Resistance 0.16 ~ 0.25Ω
Gate Threshold Voltage 2.0 ~ 4.0V
Input Capacitance 4300pF
Package Type TO-3PN
RoHS Compliance Pb-free
Total Gate Charge 110nC

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28N50D MOSFET资源附件
文件名称 大小 操作
Donghai_28N50D_Datasheet_V1.1 1.25 MB
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