产品概述
F20N50 是一款 500V、20A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。
核心特点/优势
- 500V 耐压与 20A 电流能力，满足高压大功率场景需求
- 低导通损耗（RDS(on) 典型值 0.23Ω），适用于高效率开关应用
- TO-220F 封装设计，配备绝缘底座，便于系统散热与安装
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合系统电压、电流、散热条件和开关频率进行选型；使用前请核对随附 datasheet，并务必配置过压、过流及防静电（ESD）保护电路，以确保器件在额定工况下长期稳定运行。
F20N50 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Continuous Drain Current | 20A | |
| Continuous Source Current | 20A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain Source Breakdown Voltage | 500V | |
| Drain Source On Resistance | 0.23 ~ 0.30Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate to Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate to Drain Charge | 13.5nC | |
| Gate to Source Charge | 17.4nC | |
| Input Capacitance | 3350pF | |
| Output Capacitance | 253pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Recovery Charge | 6240nC | |
| Reverse Recovery Time | 380ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 9pF | |
| Total Gate Charge | 53nC | |
| Turn off Delay Time | 68.3ns | |
| Turn off Fall Time | 36ns | |
| Turn on Delay Time | 25.8ns | |
| Turn on Rise Time | 37.5ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA |
产品替代
找到 个替代产品
资料下载
F20N50 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_F20N50_Datasheet_V1.2 | 1.59 MB | 下载 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
